IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±30

V

I C

კოლექტორის მიმდინარე @ T C =25 °C

@ ტ C = 100°C

330

200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1 Ms

400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =1 75°C

1103

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

ა

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5 დან 5.0

3.0-დან 5.0

N.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

1.70

2.15

V

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

1.95

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 °C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =8.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.0

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

18.2

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.56

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი

1.20

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =3.0Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

213

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

64

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

280

n

T F

შემოდგომის დრო

180

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

4.10

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

16.3

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =3.0Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125°C

285

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

78

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

363

n

T F

შემოდგომის დრო

278

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

7.40

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

23.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =3.0Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150°C

293

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

81

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

374

n

T F

შემოდგომის დრო

327

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

8.70

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

25.2

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 V,

T ჯ =150 °C, V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

800

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 °C

2.15

2.55

V

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125°C

2.20

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150°C

2.15

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

r g =3.0Ω, V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

16.2

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

169

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

10.2

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

r g =3.0Ω, V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ = 125°C

24.4

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

204

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

16.2

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

r g =3.0Ω, V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ = 150°C

31.4

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

222

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

19.4

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა e, ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

r θ ჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.136

0.194

კვ/ვ

r θ CS

კასე-დან-სინკ (IGBT-ის მიხედვით)

კოლოფიდან მდინარეს (დიოდების მიხედვით)

0.060

0.085

კვ/ვ

r θ CS

კასე-დან-სანკამდე

0.035

კვ/ვ

g

წონა მოდული

300

g