1200V 200A
მოკლე შესავალი
IGBT მოდული ,შექმნილი STARPOWER-ის მიერ. 1200V 200ა.
თვისებები
ტიპიური გამოყენებები
აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
IGBT
სიმბოლო | აღწერა | მნიშვნელობები | UNIT |
V CES | კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა | 1200 | V |
V გენერალური საწვავის სისტემა | ღობე-გამომცემის ძაბვა | ±20 | V |
I C | კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ ტ C =80 O C | 300 200 | ა |
I CM | პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms | 400 | ა |
პ D | მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =150 O C | 1157 | W |
დიოდი
სიმბოლო | აღწერა | მნიშვნელობები | UNIT |
V RRM | განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა | 1200 | V |
I F | დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა | 200 | ა |
I FM | დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms | 400 | ა |
მოდული
სიმბოლო | აღწერა | მნიშვნელობები | UNIT |
T jmax | მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა | 150 | O C |
T ჯოპი | მუშაობის კვანძის ტემპერატურა | -40-დან +125-მდე | O C |
T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო | შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი | -40-დან +125-მდე | O C |
V ISO | იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ | 2500 | V |
IGBT მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქსიმალური | UNIT |
V CE ((sat) | შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა | I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C |
| 2.15 | 2.60 |
V |
I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C |
| 2.65 |
| |||
V გენერალური საწარმოები (th ) | ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი | I C =2.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C | 4.8 | 5.7 | 6.3 | V |
I CES | კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება | V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C |
|
| 5.0 | mA |
I გენერალური საწვავის სისტემა | კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება | V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C |
|
| 400 | nA |
r გინტი | შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური |
|
| 1.0 |
| Ω |
C ies | შეყვანის სიმძლავრე | V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V |
| 12.9 |
| NF |
C res | საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა |
| 0.82 |
| NF | |
Q g | კარიბჭის გადასახადი | V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V |
| 2.05 |
| μC |
T D (ჩართული ) | ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =5.1Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C |
| 373 |
| n |
T r | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
| 104 |
| n | |
T D (გათიშული ) | გამორთვა დაყოვნების დრო |
| 459 |
| n | |
T F | შემოდგომის დრო |
| 168 |
| n | |
E ჩართული | ჩართვა გადაღება დანარჩენი |
| 12.9 |
| mJ | |
E გათიშული | გამორთვის გადართვა დანარჩენი |
| 17.1 |
| mJ | |
T D (ჩართული ) | ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =5.1Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C |
| 373 |
| n |
T r | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
| 105 |
| n | |
T D (გათიშული ) | გამორთვა დაყოვნების დრო |
| 475 |
| n | |
T F | შემოდგომის დრო |
| 197 |
| n | |
E ჩართული | ჩართვა გადაღება დანარჩენი |
| 17.4 |
| mJ | |
E გათიშული | გამორთვის გადართვა დანარჩენი |
| 23.7 |
| mJ | |
I SC |
ს.კ. მონაცემები | T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V |
|
1500 |
|
ა |
დიოდი მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქსიმალური | ერთეულები |
V F | დიოდი წინ ვოლტი | I C =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C |
| 1.65 | 2.05 | V |
I C =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125 O C |
| 1.65 |
| |||
Q r | აღდგენილი დავალება |
V r =600 ვოლტი,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C |
| 17.7 |
| μC |
I RM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
| 145 |
| ა | |
E რეკ | საპირისპირო აღდგენა ენერგია |
| 8.1 |
| mJ | |
Q r | აღდგენილი დავალება |
V r =600 ვოლტი,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =125 O C |
| 34.0 |
| μC |
I RM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
| 190 |
| ა | |
E რეკ | საპირისპირო აღდგენა ენერგია |
| 16.7 |
| mJ |
მოდული მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო | პარამეტრი | მინ. | თპ. | მაქსიმალური | UNIT |
L CE | ცარიელი ინდუქტენტობა |
|
| 22 | nH |
r CC+EE | მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა e, ტერმინალი ჩიპზე |
| 0.65 |
| mΩ |
r thJC | კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი) |
|
| 0.108 0.230 | კვ/ვ |
r thCH | კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის) |
| 0.135 0.288 0.046 |
| კვ/ვ |
M | ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.m |
g | წონა of მოდული |
| 200 |
| g |
ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.