IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD200HFK120C2S

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის მიმდინარე @ T C =25 °C

@ ტ C =80 °C

360

200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1 Ms

400

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =1 50°C

1344

W

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

დაყენება ტორქი

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

დამონტაჟების შრიფტი:M6

2.5 დან 5.0

3.0-დან 5.0

N.m

წონა

წონა მოდული

300

g

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =3.4Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

329

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

350

n

T F

შემოდგომის დრო

142

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

14.6

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

14.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =3.4Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125°C

351

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

77

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

382

n

T F

შემოდგომის დრო

183

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

19.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

19.9

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

17.2

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.60

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.64

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 V,

T ჯ =125 °C, V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1600

ა

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.0

Ω

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r θ ჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

0.093

კვ/ვ

r θ ჟ.კ.

კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.193

კვ/ვ

r θ CS

კასე-დან-სანკამდე (მატარებელი ცხიმის აპლიკაცია) ტყუილი)

0.035

კვ/ვ