IGBT მოდული, 1200V 1600A
მახასიათებლები
დაბალი- ნვ.vCE ((sat)- ნვ.SPT+ IGBT ტექნოლოგია
10μs- ნვ.კороткое ჩართვის შესაძლებლობა
vCE ((sat)- ნვ.დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
დაბალი ინდუქტენტობა- ნვ.შემთხვევა
სწრაფი &- ნვ.მძიმე უკუკავშირი ანტიპარალელური FWD
იზოლირებული სპილენძი ბაზაპლატფორმა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით
ტიპიური- ნვ.განაცხადები
AC ინვერტორი- ნვ.მუხრუჭები
გადართვის რეჟიმის სიმძლავრე- ნვ.მომარაგება
ელექტრონული შედუღების აპარატები
აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგებიtc=25°C- ნვ.თუ სხვაგვარად არ არის აღნიშნულინაწერი
- ნვ.
სიმბოლო | აღწერა | GD1600SGL120C3S | ერთეულები |
vCES | კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა | 1200 | v |
vგენერალური საწვავის სისტემა | ღობე-გამომცემის ძაბვა | ±20 | v |
ic | @ ტc=25°C @ ტc=80°C | 2500 | a |
1600 | |||
iCM(1) | პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=- ნვ.1ms | 3200 | a |
if | დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი | 1600 | a |
iFM | დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი | 3200 | a |
პდ | მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა @tჯ=150°C | 8.3 | კვ |
tsc | მოკლე წრე გაუძლოს დრო @ Tჯ=125°C | 10 | μs |
tჯ | მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა | 150 | °C |
tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო | შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი | -40 დან- ნვ.+125 | °C |
i2t-მნიშვნელობა, დიოდი | vr=0V,t=10ms,Tჯ=125°C | 300 | KA2s |
vიზო | იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | v |
დამონტაჟება ბრუნვის მომენტი | ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.შრიფტი:M4 ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.ბოლტი:M8 | 1.8 დან- ნვ.2.1 8.0 დან- ნვ.10 | n.m |
დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6 | 4.25 to- ნვ.5.75 | n.m |
- ნვ.
- ნვ.
- ნვ.
- ნვ.
ელექტრონული მახასიათებლები- ნვ.IGBTtc=25°C- ნვ.თუ სხვაგვარად არ არის აღნიშნული
გარეთ მახასიათებლები
- ნვ.
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეულები |
BV- ნვ.CES | კოლექტორი-გამომავალი გამორთვის ძაბვა | tჯ=25°C | 1200 | - ნვ. | - ნვ. | v |
iCES | კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე | vc=VCESVგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C | - ნვ. | - ნვ. | 5.0 | mA |
iგენერალური საწვავის სისტემა | კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი მიმდინარე | vგენერალური საწარმოები=Vგენერალური საწვავის სისტემაVc=0V,- ნვ.tჯ=25°C | - ნვ. | - ნვ. | 400 | nA |
მახასიათებლების შესახებ
- ნვ.
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეულები |
vGE(th) | ღობე-გამომცემის ზღვარი ძაბვა | ic=64mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25°C | 5.0 | 6.2 | 7.0 | v |
- ნვ. - ნვ. vCE ((sat) | - ნვ. შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა | ic=1600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C | - ნვ. | 1.8 | - ნვ. | - ნვ. - ნვ. v |
ic=1600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125°C | - ნვ. | 2.0 | - ნვ. |
გამორთვის ხასიათიისტიკა
- ნვ.
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეულები |
qგენერალური საწარმოები | კარიბჭის გადასახადი | vგენერალური საწარმოები=-15...+15 ვოლტი | - ნვ. | 16.8 | - ნვ. | μC |
td(on) | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. vCC=600 ვოლტი,Ic=1600A,- ნვ. rg=0.82Ω, vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=25°C | - ნვ. | 225 | - ნვ. | n |
tr | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 105 | - ნვ. | n | |
tდ(გათიშული) | გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო | - ნვ. | 1100 | - ნვ. | n | |
tf | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 100 | - ნვ. | n | |
ეთეთრი | ჩართვა- ნვ.გადასვლის დანაკარგი | - ნვ. | 148 | - ნვ. | mJ | |
ეგათიშული | გამორთვის გადართვის დანაკარგი | - ნვ. | 186 | - ნვ. | mJ | |
td(on) | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. vCC=600 ვოლტი,Ic=1600A,- ნვ. rg=0.82Ω, vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=125°C | - ნვ. | 235 | - ნვ. | n |
tr | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 105 | - ნვ. | n | |
tდ(გათიშული) | გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო | - ნვ. | 1160 | - ნვ. | n | |
tf | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 105 | - ნვ. | n | |
ეთეთრი | ჩართვა- ნვ.გადასვლის დანაკარგი | - ნვ. | 206 | - ნვ. | mJ | |
ეგათიშული | გამორთვის გადართვის დანაკარგი | - ნვ. | 239 | - ნვ. | mJ | |
cივ | შეყვანის სიმძლავრე | - ნვ. vc=25V,f=1MHz, vგენერალური საწარმოები=0V | - ნვ. | 119 | - ნვ. | NF |
coes | გამოსავალი გამტარუნარიანობა | - ნვ. | 8.32 | - ნვ. | NF | |
cres | საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა | - ნვ. | 5.44 | - ნვ. | NF | |
- ნვ. isc | - ნვ. ს.კ. მონაცემები | tsc≤10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,კალენდარი tჯ=125°C, vCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM- ნვ.≤1200 ვოლტი | - ნვ. | - ნვ. 7000 | - ნვ. | - ნვ. a |
rგინტი | შიდა კარიბჭის რეზისიტანსი | - ნვ. | - ნვ. | 0.1 | - ნვ. | Ω |
- ნვ.c | ცარიელი ინდუქტენტობა | - ნვ. | - ნვ. | 12 | - ნვ. | nH |
rCC+EE'' | მოდული Lead Resistance,- ნვ.ტერმინალი ჩიპზე | tc=25°C | - ნვ. | 0.19 | - ნვ. | mΩ |
- ნვ.
- ნვ.
- ნვ.
ელექტრო- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.თეთრი- ნვ.დიოდი- ნვ.tc=25°C- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
- ნვ.
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეულები | |
vf | დიოდი წინ ძაბვა | if=1600A | tჯ=25°C | - ნვ. | 2.1 | - ნვ. | v |
tჯ=125°C | - ნვ. | 2.2 | - ნვ. | ||||
qr | აღდგენილი გადასახადი | - ნვ. if=1600A, vr=600V, di/dt=-7500A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი | tჯ=25°C | - ნვ. | 73 | - ნვ. | μC |
tჯ=125°C | - ნვ. | 175 | - ნვ. | ||||
iRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | tჯ=25°C | - ნვ. | 510 | - ნვ. | a | |
tჯ=125°C | - ნვ. | 790 | - ნვ. | ||||
ერეკ | საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია | tჯ=25°C | - ნვ. | 17 | - ნვ. | mJ | |
tჯ=125°C | - ნვ. | 46 | - ნვ. |
- ნვ.
თერმული მახასიათებლები
- ნვ.
სიმბოლო | პარამეტრი | თპ. | მაქს. | ერთეულები |
rθJC | Junction-to-Case (IGBT ნაწილი, თითომოდული) | - ნვ. | 15 | K/kW |
rθJC | Junction-to-Case (დიოდის ნაწილი, თითო Mოდულის) | - ნვ. | 26 | K/kW |
rθCS | კასე-დან-სანკამდე (კონდუქტიური ზეთი გამოყენებულია, per მოდული) | 6 | - ნვ. | K/kW |
წონა | წონა- ნვ.მოდული | 1500 | - ნვ. | g |
- ნვ.
ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.