IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD1200HFT120C3S

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

± 20

V

I C

@ ტ C =25 °C

@ ტ C =80 °C

1800

ა

1200

I CM (1)

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ = 1ms

2400

ა

I F

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

1200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი მიმდინარე ქირაობა

2400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ = 150°C

5.2

kW

T ჯ

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

დაყენება

სიგნალის ტერმინალი შრიფტი:M4

ელექტროენერგიის ტერმინალი ბოლტი:M8

1.8 დან 2.1

8.0 დან 10

N.m

ტორქი

დაყენება შრიფტი:M6

4.25 to 5.75

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V,

T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ვოლტი

I C =48 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C = 1200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

1.70

2.15

V

I C = 1200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ = 125°C

2.00

2.45

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

11.5

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =1200A,

r გონ =2.4Ω,

r გოფ =0.82Ω,

V გენერალური საწარმოები = ± 15V,T ჯ =25 °C

600

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

230

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

820

n

T F

შემოდგომის დრო

150

n

E ჩართული

ჩართვა გადასვლის დანაკარგი

/

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

/

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =1200A,

r გონ =2.4Ω,

r გოფ =0.82Ω,

V გენერალური საწარმოები = ± 15V,T ჯ = 125°C

660

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

220

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

960

n

T F

შემოდგომის დრო

180

n

E ჩართული

ჩართვა გადასვლის დანაკარგი

246

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

191

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

86.1

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

4.50

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

3.90

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T s C ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C V CC =900 ვოლტი,

V CEM ≤ 1200 ვოლტი

4800

ა

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC + EE ’

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა ე, ტერმინალი ჩიპზე

T C =25 °C

0.18

M Ω

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F = 1200A

T ჯ =25 °C

1.65

2.15

V

T ჯ = 125°C

1.65

2.15

Q r

დიოდი საპირისპირო

აღდგენის გადასახადი

I F = 1200A,

V r =600V,

r გონ =2.4Ω,

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V

T ჯ =25 °C

69

μC

T ჯ = 125°C

129

I RM

დიოდის პიკი

საპირისპირო აღდგენა დიდება

T ჯ =25 °C

485

ა

T ჯ = 125°C

623

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

32

mJ

T ჯ = 125°C

60

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r θ ჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

24

K/kW

r θ ჟ.კ.

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

43

K/kW

r θ CS

კასე-დან-სანკამდე

(კონდუქტიური ცხიმი გამოყენებულია, შესაბამისად მოდული)

6

K/kW

წონა

წონა მოდული

1500

g