IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD1200HFL120C3S

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის მიმდინარე @ T C =25 °C

@ ტ C = 100°C

1900

1200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1 Ms

2400

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

1200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

2400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =1 75°C

6.41

kW

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

T ჯოპი

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მ4

1.8 დან 2.1

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M8

8.0 დან 10

N.m

დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

4.25 დან 5.75

g

წონა მოდული

1500

g

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =48.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

5.4

7.4

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C = 1200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

1.95

2.40

V

I C = 1200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

2.10

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C = 1200A, r გონ =2. 1Ω,R გოფ =4.5Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 V,T ჯ =25 °C

200

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

135

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

1050

n

T F

შემოდგომის დრო

130

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

136

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

160

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C = 1200A, r გონ =2. 1Ω,R გოფ =4.5Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 V,T ჯ = 125°C

220

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

190

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

1150

n

T F

შემოდგომის დრო

140

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

184

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

208

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

84.8

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

3.76

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 V,

T ჯ =125 °C, V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

4500

ა

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.7

Ω

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

0.18

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F = 1200A

T ჯ =25 °C

1.65

2.20

V

T ჯ =125 °C

1.75

Q r

აღდგენილი

დავალება

I F = 1200A,

V r =600V,

r გონ =2. 1Ω,

V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

400

μC

T ჯ =125 °C

680

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

1400

ა

T ჯ =125 °C

1840

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

160

mJ

T ჯ =125 °C

296

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r θ ჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

23.4

K/kW

r θ ჟ.კ.

კვანძები (D-ზე) იოდი)

46.1

K/kW

r θ CS

კასე-დან-სანკამდე (მატარებელი ცხიმის აპლიკაცია) ტყუილი)

6

K/kW