IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I CN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

ა

I C

კოლექტორის დენი @ T F =75 O C

765

ა

I CRM

განმეორებადი პიკი კოლექციონერი დიდება tp შეზღუდული ნა T vjop

2000

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75 O C ,T ჯ =175 O C

1515

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I FN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

765

ა

I FRM

განმეორებადი პიკი წინასწარი დიდება tp შეზღუდული ნა T vjop

2000

ა

I FSM

წინგადაცემული დენი t პ =10ms @ T vj = 25O C @ ტ vj =150 O C

4100

3000

ა

I 2T

I 2თ- ღირებულება ,T პ =10 Ms @ T vj =25 O C @ T vj =150 O C

84000

45000

ა 2s

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =1000A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.45

1.90

V

I C =1000A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

1.65

I C =1000A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C

1.80

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

51.5

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.36

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

13.6

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =900A,

r g =0.51Ω, L s =40nH, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T vj =25 O C

330

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

140

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

842

n

T F

შემოდგომის დრო

84

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

144

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

87.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =900A,

r g =0.51Ω, L s =40nH, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T vj =125 O C

373

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

155

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

915

n

T F

შემოდგომის დრო

135

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

186

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

104

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =900A,

r g =0.51Ω, L s =40nH, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T vj =175 O C

390

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

172

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

950

n

T F

შემოდგომის დრო

162

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

209

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

114

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤8μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C,V CC =800V,

V CEM ≤ 1200 ვოლტი

3200

ა

T პ ≤6μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175 O C,V CC =800V,

V CEM ≤ 1200 ვოლტი

3000

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =1000A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25 O C

1.60

2.05

V

I F =1000A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.70

I F =1000A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 O C

1.60

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =40 nH ,T vj =25 O C

91.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

441

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

26.3

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =40 nH ,

T vj =125 O C

141

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

493

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

42.5

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =40 nH ,

T vj =175 O C

174

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

536

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

52.4

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

გადახრა of r 100

T C =100 O C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC + EE ’

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.80

mΩ

r თი-ი-ფ

გადასასვლელი -რომ -გაგრილება სითხე (perIGBT )ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) △ V/ △ t=10.0 dm 3/მნ ,T F =75 O C

0.066 0.092

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

g

წონა of მოდული

400

g

პ

მაქსიმალური წნევა კooling სქემაში

3

ბარი

∆p

წნევის ვარდნა კooling სქემაში კუტი

∆V/∆t=10.0dm 3/წმ;T F =25 O C;კooling სითხე=50% წყალი/50% ეთილენის გლიკოლი

47

მბარი