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IGBT モジュール,,4500V 2000A ,プレスパッケージ, FWD付き
特徴
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最大ほら評価ほら値
パラメーター | シンボル | 条件 | 価値 | ユニット |
ほら集合器-放出器の電圧 | v についてCES | v について遺伝子組み換え=0Vtvj=25違うc について | 4500 | v について |
ほらDC コレクタほらキュrrent | i についてc について | tc について=100違うC,Tvj=125 について違うc について | 2000 | a について |
ピークコレクタ電流 | i についてセンチメートル | tp=1ms | 4000 | a について |
ゲート- わかった発射機ほら圧力は | v について総エネルギー | ほら | ±20 | v について |
合計ほら電力ほら消散 | ptot | tc について=25違うC,Tvj=125 について違うc について | 20800 | ワ |
dcほらフォワード Current | i についてf について | ほら | 2000 | a について |
頂点ほらフォワード Cur賃貸 | i についてFRM | tp=1ms | 4000 | a について |
サージ電流 | i についてFSM | v についてr=0V,Tvj=125 について違うC, tp=10ms,半正弦波 | 14000 | a について |
IGBT 短絡 SOA | tpsc | v についてcc=3400V,v について単数ほらチップ≤4500Vほらv について遺伝子組み換え≤15V,Tvj≤125違うc について | 10 | μs |
最大接合温度 | tvj( ありがとうございました)最大) について | ほら | 125 | °C |
接合ほら動作温度 | tvj( ありがとうございました)オプ) について | ほら | -40~125 | °C |
ケース温度 | tc について | ほら | -40~125 | °C |
保存温度 | tSTG | ほら | -40~70 | °C |
取り付け力 | f についてロープ | ほら | 60~75 | kn |
ほら
IGBT 特性値
パラメーター | シンボル | 条件 | 価値 | ユニット | |||
ポイント | タイプする | オーケー | |||||
コレクタ-エミッタ破壊電圧 | 特別特別特別特別特別 | VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃ | 4500 | ほら | ほら | v について | |
コレクタ-エミッタ飽和電圧 | 衛星の VCE (衛星) | IC=2000A, VGE=15V | Tvj=25℃ | ほら | 2.70 | 3.05 | v について |
Tvj=125℃ | ほら | 3.35 | 3.85 | v について | |||
コレクタ-エミッタカットオフ電流 | ICES | VCE=4500V, VGE=0V | Tvj=25℃ | ほら | ほら | 1 | ママ |
Tvj=125℃ | ほら | 15 | 100 | ママ | |||
ゲート-エミッタリーク電流 | ゲノム | VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃ | -500 | ほら | 500 | ほら | |
ゲート-エミッタ閾値電圧 | 総額は | IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃ | 6.7 | ほら | 7.7 | v について | |
ゲートチャージ | 司令部 | IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V | ほら | 10 | ほら | 微分 | |
入力容量 | サイエス | ほら ほら VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃ | ほら | 213 | ほら | ロープ | |
輸出容量 | コース | ほら | 15.3 | ほら | ロープ | ||
逆転移容量 | クレス | ほら | 4.7 | ほら | ロープ | ||
内部ゲート抵抗 | RGint について | ほら | ほら | 0 | ほら | オー | |
オンする遅延時間 | オン (オン) | ほら ほら ほら ほら ほら IC=2000A, VCE=2800V, VGE=±15V, RGon=1.8Ω, RGoff=8.2Ω, Cge=330nF, LS=140nH, 感应負荷 | Tvj=25℃ | ほら | 1100 | ほら | NS |
Tvj=125℃ | ほら | 900 | ほら | NS | |||
昇る時間 | について | Tvj=25℃ | ほら | 400 | ほら | NS | |
Tvj=125℃ | ほら | 450 | ほら | NS | |||
オフ遅延時間 | 消して | Tvj=25℃ | ほら | 3800 | ほら | NS | |
Tvj=125℃ | ほら | 4100 | ほら | NS | |||
秋の時間 | ティフ | Tvj=25℃ | ほら | 1200 | ほら | NS | |
Tvj=125℃ | ほら | 1400 | ほら | NS | |||
オンスイッチングエネルギー | エオン | Tvj=25℃ | ほら | 14240 | ほら | ロープ | |
Tvj=125℃ | ほら | 15730 | ほら | ロープ | |||
オフスイッチングエネルギー | オーフ | Tvj=25℃ | ほら | 6960 | ほら | ロープ | |
Tvj=125℃ | ほら | 8180 | ほら | ロープ | |||
短回路電流 | ほら シュ | VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃ VCEM チップ≤4500V | ほら | ほら 8400 | ほら | ほら a について |
ほらほら
ダイオード特性値
パラメーター | シンボル | 条件 | 価値 | 単位 | |||
ポイント | タイプする | オーケー | |||||
順方向電圧 | VF について | IF=2000A | Tvj=25℃ | ほら | 2.60 | ほら | v について |
Tvj=125℃ | ほら | 2.85 | ほら | v について | |||
逆回復電流 | Irr | ほら ほら ほら IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH, 感应負荷 | Tvj=25℃ | ほら | 1620 | ほら | a について |
Tvj=125℃ | ほら | 1970 | ほら | a について | |||
逆回復電荷 | Qrr | Tvj=25℃ | ほら | 1750 | ほら | uC | |
Tvj=125℃ | ほら | 2700 | ほら | uC | |||
逆回復時間 | trr | Tvj=25℃ | ほら | 4.0 | ほら | 私達 | |
Tvj=125℃ | ほら | 5.1 | ほら | 私達 | |||
逆回復エネルギー損失 | エレック | Tvj=25℃ | ほら | 2350 | ほら | ロープ | |
Tvj=125℃ | ほら | 3860 | ほら | ロープ |
ほら
ほら
ほら
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