IGBTモジュール 1200V

シンボル

記述

値

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=90ほらc について

900

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

1800

a について

pd

最大電源分散 @ Tj について=175ほらc について

3409

ワ

シンボル

記述

値

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト年齢

1200

v について

i についてf について

ダイオード 連続前向き賃貸

900

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

1800

a について

i についてFSM

サージ前方電流  tp=10ms  @tj について=25ほらc についてほら@ Tj について=150 についてほらc について

4100

3000

a について

i について2t

i について2t値,tp=10ms  @ Tj について=25ほらc について

@ Tj について=150 についてほらc について

84000

45000

a について2s

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

ほらc について

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

絶縁電圧  RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=900A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

1.40

1.85

ほら

ほら

v について

i についてc について=900A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

1.60

ほら

i についてc について=900A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=175ほらc について

ほら

1.65

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について=24.0ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について

5.5

6.3

7.0

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ

流動

v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V

tj について=25ほらc について

ほら

ほら

1.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

ほら

ほら

0.5

ほら

オー

c についてほら

入力容量

v についてザ電気回路が25Vで,f=100KHzで,ほらv について遺伝子組み換え=0V

ほら

51.5

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

0.36

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=- やってるほら15...+15V

ほら

13.6

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V,

tj について=25ほらc について

ほら

330

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

140

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

842

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

84

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

144

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

87.8

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V,

tj について=125 についてほらc について

ほら

373

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

155

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

915

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

135

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

186

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

104

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V,

tj について=175ほらc について

ほら

390

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

172

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

950

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

162

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

209

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

114

ほら

ロープ

ほら

ほら

i についてスコ

ほら

ほら

SC データ

tp≤8μs,V遺伝子組み換え=15V

tj について=150 についてほらC,Vcc=800Vほらv について単数ほら≤1200V

ほら

ほら

3200

ほら

ほら

a について

tp≤6μs,V遺伝子組み換え=15V

tj について=175ほらC,Vcc=800Vほらv について単数ほら≤1200V

ほら

ほら

3000

ほら

ほら

a について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

ほら

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.55

2.00

ほら

v について

i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=125ほらc について

ほら

1.65

ほら

i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=175ほらc について

ほら

1.55

ほら

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=900A,

-di/dt=4930A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtj について=25ほらc について

ほら

91.0

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

441

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

26.3

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=900A,

-di/dt=4440A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtj について=125 についてほらc について

ほら

141

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

493

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

42.5

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=900A,

-di/dt=4160A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtj について=175ほらc について

ほら

174

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

536

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

52.4

ほら

ロープ

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

r25

定数抵抗

ほら

ほら

5.0

ほら

kΩ

∆R/R

偏差ほらについてほらr100

tc について=100ほらほらc についてロープ100=493.3Ω

-5

ほら

5

%

p25

電力

消散

ほら

ほら

ほら

20.0

mw

b について25/50

B値

r2=R25経験[B25/501/T2- わかった

半角形から

ほら

3375

ほら

k

b について25/80

B値

r2=R25経験[B25/801/T2- わかった

半角形から

ほら

3411

ほら

k

b について25/100

B値

r2=R25経験[B25/1001/T2- わかった

半角形から

ほら

3433

ほら

k

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかったザ

流れる誘導力

ほら

20

ほら

ほら

rCC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

ほら

0.80

ほら

mΩ

rthJC

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

ケースへの接点 (DIあたり)オーデ)

ほら

ほら

0.044

0.076

総量

ほら

rthCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT）

ケースからヒートシンク (pe)ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per模块)

ほら

0.028

0.049

0.009

ほら

総量

ロープ

端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクロール M5

3.0

3.0

ほら

6.0

6.0

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

350

ほら

g