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IGBTモジュール、1700V 650A
特徴
ほら
典型的なほら申請
絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら備注
ゲン
シンボル | 記述 | 価値 | ユニット |
v についてCES | 集合器-放出器の電圧 | 1700 | v について |
v について総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v について |
i についてc について | コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について @ Tc について= 違うほら100ほらc について | 1073 650 | a について |
i についてセンチメートル | パルスコレクター電流 tp=1ms | 1300 | a について |
pd | 最大電源分散 @ Tj について=175ほらc について | 4.2 | kw |
ほら
ダイオード
ほら
シンボル | 記述 | 価値 | ユニット |
v についてRRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | 1700 | v について |
i についてf について | ダイオード 連続前向き賃貸 | 650 | a について |
i についてfm | ダイオード最大前向き電流 tp=1ms | 1300 | a について |
模組
シンボル | 記述 | 価値 | ユニット |
tjmax | 交差点最大温度 | 175 | ほらc について |
tショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+150 | ほらc について |
tSTG | 保存温度範囲 | -40から+150 | ほらc について |
v についてサイロ | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分前 | 4000 | v について |
ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
ほら ほら v について衛星 | ほら ほら 収集機から発信機へ 飽和電圧 | i についてc について=650A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について | ほら | 1.90 | 2.35 | ほら ほら v について |
i についてc について=650A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について | ほら | 2.35 | ほら | |||
i についてc について=650A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について | ほら | 2.45 | ほら | |||
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について | ゲート発信者の限界値ほら圧力は | i についてc について=24.0ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v について |
i についてCES | 収集家ほら切る- わかったオフ 流動 | v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V tj について=25ほらc について | ほら | ほら | 5.0 | ママ |
i について総エネルギー | ゲート発射器の漏れほら流動 | v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について | ほら | ほら | 400 | ほら |
rゲント | 内部ゲート抵抗アンス | ほら | ほら | 2.3 | ほら | オー |
c についてほら | 入力容量 | v についてザ電気回路が1Mhzで v について遺伝子組み換え=0V | ほら | 72.3 | ほら | ロープ |
c についてレス | 逆転移転 容量 | ほら | 1.75 | ほら | ロープ | |
qg | ゲートチャージ | v について遺伝子組み換え=- やってるほら15...+15V | ほら | 5.66 | ほら | 微分 |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=900V,Ic について=650A,ほらrゲン= 違うほら1.8Ω,Rゲッフ=2.7Ω,v について遺伝子組み換え=±15V,Tj について=25ほらc について | ほら | 468 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 86 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 850 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 363 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え 損失 | ほら | 226 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断する 損失 | ほら | 161 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=900V,Ic について=650A,ほらrゲン= 違うほら1.8Ω,Rゲッフ=2.7Ω,v について遺伝子組み換え=±15V,Tj について= 違うほら125ほらc について | ほら | 480 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 110 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 1031 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 600 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え 損失 | ほら | 338 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断する 損失 | ほら | 226 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=900V,Ic について=650A,ほらrゲン= 違うほら1.8Ω,Rゲッフ=2.7Ω,v について遺伝子組み換え=±15V,Tj について= 違うほら150ほらc について | ほら | 480 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 120 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 1040 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 684 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え 損失 | ほら | 368 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断する 損失 | ほら | 242 | ほら | ロープ | |
ほら i についてスコ | ほら SC データ | tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V tj について=150 についてほらC,Vcc= 違うほら1000V,v について単数≤1700V | ほら | ほら 2600 | ほら | ほら a について |
ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
ほら v についてf について | ダイオード 前向き 圧力は | i についてf について=650A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について | ほら | 1.85 | 2.30 | ほら v について |
i についてf について=650A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について | ほら | 1.98 | ほら | |||
i についてf について=650A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら150ほらc について | ほら | 2.02 | ほら | |||
qr | 回収された電荷 | v についてr=900V,If について=650A, -di/dt=5980A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vtj について=25ほらc について | ほら | 176 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 765 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 87.4 | ほら | ロープ | |
qr | 回収された電荷 | v についてr=900V,If について=650A, -di/dt=5980A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら125ほらc について | ほら | 292 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 798 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 159 | ほら | ロープ | |
qr | 回収された電荷 | v についてr=900V,If について=650A, -di/dt=5980A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら150ほらc について | ほら | 341 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 805 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 192 | ほら | ロープ |
NTCほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
r25 | 定数抵抗 | ほら | ほら | 5.0 | ほら | kΩ |
ΔR/R | 偏差ほらについてほらr100 | tc について= 違うほら100ほらほらC,R100=493.3Ω | -5 | ほら | 5 | % |
p25 | 電力 消散 | ほら | ほら | ほら | 20.0 | mw |
b について25/50 | B値 | r2=R25経験[B25/501/T2- わかった 半角形から | ほら | 3375 | ほら | k |
b について25/80 | B値 | r2=R25経験[B25/801/T2- わかった 半角形から | ほら | 3411 | ほら | k |
b について25/100 | B値 | r2=R25経験[B25/1001/T2- わかった 半角形から | ほら | 3433 | ほら | k |
模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
シンボル | パラメーター | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
わかったザ | 流れる誘導力 | ほら | 18 | ほら | ほら |
rCC+EE | モジュール鉛抵抗端末からチップへ | ほら | 0.30 | ほら | mΩ |
rthJC | ケース対ケース (IGBごとに)T) について 交差点 (Dあたり)ヨード) | ほら | ほら | 35.8 71.3 | 電力量 |
ほら rthCH | ケースからヒートシンクへの(per IGBT) ケースからヒートシンクへの(per ダイオード) ケースからヒートシンクへの(per模块) | ほら | 13.5 26.9 4.5 | ほら | 電力量 |
ほら ロープ | 端末接続トークほらスクロールM4ほら端末接続トルクほらスクロール M8ほら固定トークほらスクロール M5 | 1.8 8.0 3.0 | ほら | 2.1 10.0 6.0 | ほら ラング |
g | 体重ほらについてほら模組 | ほら | 810 | ほら | g |
ほら
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