ホームページ / 製品 / igbt モジュール / IGBTモジュール 4500V
特徴
典型的な申請
ほら
最大定格値
パラメータ/参数 | シンボル/符号 | 条件/条件 | ポイント | 最大 | ユニット |
集合器-放出器の電圧ほら集電極-エミッタ電圧 | v についてCES | v について遺伝子組み換えほら=0V,Tvjほら≥25°C | ほら | 4500 | v について |
DC コレクタほら流動ほら集電極電流 | i についてc について | tc についてほら=80°C | ほら | 650 | a について |
ピークコレクタほら流動ほら集電极峰值電流 | i についてセンチメートル | tp=1ms,Tc=80°C | ほら | 1300 | a について |
ゲート・エミッター・ボルトほらゲートエミッタ電圧 | v について総エネルギー | ほら | -20 | 20 | v について |
合計ほら電力消耗ほら総電力損失 | ptot | tc についてほら=25°C,スイッチごと(IGBT) | ほら | 6670 | ワ |
DC順方向電流ほら直流正方向電流 | i についてf について | ほら | ほら | 650 | a について |
ピーク順方向電流ほらピーク正方向電流 | i についてFRM | tp=1ms | ほら | 1300 | a について |
サージほら流動ほら浪涌電流 | i についてFSM | v についてrほら=0V,Tvjほら=125°C,tp=10ms,ほらハーフサイン波 | ほら | 5300 | a について |
IGBTショートほらサーキットほらSOAほらIGBT短絡安全動作領域 | ほら tpsc | ほら v についてccほら=3400V,VCEMCHIP≤4500Vほらv について遺伝子組み換えほら≤15V,Tvj≤125°C | ほら | ほら 10 | ほら μs |
絶縁電圧ほら绝缘電圧 | v について孤立 | 1分,f=50Hz | ほら | 10200 | v について |
接合温度ほら結温 | tvj | ほら | ほら | 150 | °C |
接合動作温度eratureほら動作結温 | tvj(op) | ほら | -50 | 125 | °C |
ケース温度ほらケース温度 | tc について | ほら | -50 | 125 | °C |
保存温度ほら保存温度 | tSTG | ほら | -50 | 125 | °C |
取り付けトルクほら取り付けトルク | ロープs | ほら | 4 | 6 | ほら nm |
ロープt1 | ほら | 8 | 10 | ||
ロープt2 | ほら | 2 | 3 |
ほら
IGBT 特性値
パラメータ/参数 | シンボル/符号 | 条件/条件 | ポイント | タイプ | 最大 | ユニット | |
収集家ほら(-エミッタ)ほらブレークダウンほら圧力は 集電極-エミッタブロッキング電圧 | ほら v について(BR)CES | v について遺伝子組み換えほら=0V,IC=10mA,ほらTvj=25°C | ほら 4500 | ほら | ほら | ほら v について | |
コレクター・エミッター飽和度ほら圧力は 集電極-エミッタ飽和電圧 | ほら v についてCEsat | i についてc についてほら=650A,ほらv について遺伝子組み換えほら=15V | Tvj=ほら25°C | ほら | 2.7 | 3.2 | v について |
Tvj=125°C | ほら | 3.4 | 3.8 | v について | |||
コレクタカットオフほら流動ほら集電極カットオフ電流 | i についてCES | v についてザほら=4500V,ほらv について遺伝子組み換えほら=0V | Tvj=ほら25°C | ほら | ほら | 10 | ママ |
Tvj=125°C | ほら | ほら | 100 | ママ | |||
ゲートほら漏れ流ほらゲートリーク電流 | i について総エネルギー | v についてザほら=0V,V遺伝子組み換えほら=20V,ほらtvjほら=125°C | -500 | ほら | 500 | ほら | |
ゲート-エミッタ閾値電圧ほらゲートエミッタしきい値電圧 | v について総額 | i についてc についてほら=160mA,Vザほら=V遺伝子組み換えほらほらtvjほら=25°C | 4.5 | ほら | 6.5 | v について | |
ゲートほら料金ほらゲートチャージ | qg | i についてc についてほら=650A,Vザほら=2800V,ほらv について遺伝子組み換えほら=15Vほらわかったほら15v | ほら | 5.4 | ほら | µC | |
入力容量ほら输入電容量 | c についてほら | ほら ほら v についてザほら=25V,V遺伝子組み換えほら=0Vわかったf=1MHz,Tvjほら=25°C | ほら | 71.4 | ほら | ほら ほら ほら ロープ | |
輸出容量ほら出力キャパシタンス | c についてオーエス | ほら | 4.82 | ほら | |||
逆転移容量ほら逆転移キャパシタンス | c についてレス | ほら | 1.28 | ほら | |||
オン遅延ほら時間ほら開通遅延時間 | tオンに | ほら ほら ほら ほら v についてccほら=2800V, i についてc についてほら=650A, rgほら=2.2オーほらほら v について遺伝子組み換えほら=±15V わかったσ=280nH, インダクティブ負荷 | Tvjほら= 違うほら25ほら°c | ほら | 420 | ほら | ほら ほら NS |
Tvjほら= 違うほら125ほら°c | ほら | 528 | ほら | ||||
昇る時間ほら立ち上がり時間 | tr | Tvjほら= 違うほら25ほら°c | ほら | 160 | ほら | ||
Tvjほら= 違うほら125ほら°c | ほら | 190 | ほら | ||||
オフ遅延時間ほらオフ遅延時間 | td( ありがとうございました)オフ) について | Tvjほら= 違うほら25ほら°c | ほら | 2100 | ほら | ほら ほら NS | |
Tvjほら= 違うほら125ほら°c | ほら | 2970 | ほら | ||||
秋の時間ほら下降時間 | tf について | Tvjほら= 違うほら25ほら°c | ほら | 1600 | ほら | ||
Tvjほら= 違うほら125ほら°c | ほら | 2760 | ほら | ||||
オン 切り替えほら損失エネルギーほらオン損失エネルギー | e についてについて | Tvjほら= 違うほら25ほら°c | ほら | 1000 | ほら | ロープ | |
Tvjほら=125 についてほら°c | ほら | 1600 | ほら | ||||
切断するほら損失エネルギーほらオフ損失エネルギー | e についてオフ | Tvjほら= 違うほら25ほら°c | ほら | 2000 | ほら | ロープ | |
Tvjほら=125 についてほら°c | ほら | 2740 | ほら | ||||
短回路ほら流動ほら短絡電流 | i についてスコ | tpsc≤ほら10μs, V遺伝子組み換えほら=15Vほらtvj= 違うほら125°C,Vccほら= 違うほら3400V | ほら | 3940 | ほら | a について |
ほら
ダイオード特性値
パラメータ/参数 | シンボル/符号 | 条件/条件 | ポイント | タイプ | 最大 | ユニット | |
順方向電圧ほら正向電圧 | v についてf について | i についてf についてほら=650A | Tvjほら= 違うほら25ほら°c | ほら | 3.2 | ほら | v について |
Tvjほら= 違うほら125ほら°c | ほら | 3.6 | ほら | ||||
逆向きほら回復電流ほら反向復電流 | i についてロープ | ほら v についてccほら=2800V, i についてc についてほら=650A, rgほら=2.2オーほらほら v について遺伝子組み換えほら=±15V わかったσ=280nH, インダクティブ負荷 | Tvjほら= 違うほら25ほら°c | ほら | 1200 | ほら | a について |
Tvjほら= 違うほら125ほら°c | ほら | 1300 | ほら | a について | |||
回収された電荷ほら回復電荷 | qロープ | Tvjほら= 違うほら25ほら°c | ほら | 450 | ほら | µC | |
Tvjほら= 違うほら125ほら°c | ほら | 550 | ほら | µC | |||
逆向きほら回復時間ほら逆回復時間 | tロープ | Tvjほら= 違うほら25ほら°c | ほら | 660 | ほら | NS | |
Tvjほら= 違うほら125ほら°c | ほら | 750 | ほら | ||||
逆向きほら回復エネルギーほら逆回復エネルギー | e についてレス | Tvjほら=25ほら°c | ほら | 720 | ほら | ロープ | |
Tvjほら= 違うほら125ほら°c | ほら | 860 | ほら |
ほら
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