ホームページ / 製品 / igbt モジュール / IGBTモジュール 3300V
特徴
●SPT+チップセットによる低スイッチングほら損失 |
● 危険 に 晒す低ほらv についてCEsat |
●低ドライバほら電力 |
●AlSiCベースプレートによる高ほら電力ほらc についてサイクリングほら能力ユー |
●AlN基板による低熱ほら抵抗力 |
ほら
典型的な申請
●トラクションドライブ |
●DCチョッパー |
●中電圧インバータ/コンバータ |
ほら
ほら
最大定格値
パラメーター | シンボル | 条件 | ポイント | 最大 | ユニット |
集合器-放出器の電圧 | 総額 | VGE =0V,Tvj ≥25°C | ほら | 3300 | v について |
DCコレクタ電流 | ザ | TC =80°C | ほら | 400 | a について |
ピークコレクタ電流 | ICM | tp=1ms,Tc=80°C | ほら | 800 | a について |
ゲート・エミッター・ボルト | VGES | ほら | -20 | 20 | v について |
総電力損失 | Ptot | TC =25°C,スイッチごと(IGBT) | ほら | 7100 | ワ |
DC順方向電流 | だったら | ほら | ほら | 400 | a について |
ピーク順方向電流 | IFRM | tp=1ms | ほら | 800 | a について |
サージ電流 | IFSM | VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 半正弦波 | ほら | 3000 | a について |
IGBT 短絡 SOA | tpsc | VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C | ほら | 10 | μs |
絶縁電圧 | Visol | 1分,f=50Hz | ほら | 10200 | v について |
接合温度 | Tvj | ほら | ほら | 150 | °C |
接合動作温度 | Tvj(op) | ほら | -50 | 150 | °C |
ケース温度 | TC | ほら | -50 | 125 | °C |
保存温度 | ターゲット・ストーブ | ほら | -50 | 125 | °C |
ほら 取り付けトルク | ms | ベースヒートシンクほらM6ネジ | 4 | 6 | ほら ほら nm |
MT1 | メイン端子ほらm8 スクロール | 8 | 10 |
ほら
IGBT 特性値
パラメーター | シンボル | 条件 | ポイント | タイプ | 最大 | ユニット | |
コレクタ (- エミッタ) ブレークダウン電圧 | 特別特別特別特別特別 | VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C | 3300 | ほら | ほら | v について | |
コレクタ-エミッタ飽和電圧 | VCEsat | IC =400A, VGE =15V | Tvj= 25°C | ほら | 3.0 | ほら | v について |
Tvj=125°C | ほら | 3.6 | ほら | v について | |||
コレクターが電流を切断 | ICES | VCE =3300V, VGE =0V | Tvj= 25°C | ほら | ほら | 5 | ママ |
Tvj=125°C | ほら | ほら | 50 | ママ | |||
ゲート漏れ電流 | ゲノム | VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C | -500 | ほら | 500 | ほら | |
ゲート-エミッタ閾値電圧 | 総額は | IC =80mA,VCE =VGE, Tvj =25°C | 5.5 | ほら | 7.5 | v について | |
ゲートチャージ | 司令部 | IC =400A,VCE =1800V, VGE =-15V … 15V | ほら | 4.0 | ほら | µC | |
入力容量 | サイエス | ほら ほら VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C | ほら | 65 | ほら | ほら ほら ほら ロープ | |
輸出容量 | コース | ほら | 3.7 | ほら | |||
逆転移容量 | クレス | ほら | 0.8 | ほら | |||
オンする遅延時間 | オン (オン) | ほら ほら ほら ほら VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, インダクティブ負荷 | Tvj = 25 °C | ほら | 650 | ほら | ほら ほら NS |
Tvj = 125 °C | ほら | 750 | ほら | ||||
昇る時間 | について | Tvj = 25 °C | ほら | 400 | ほら | ||
Tvj = 125 °C | ほら | 470 | ほら | ||||
オフ遅延時間 | 消して | Tvj = 25 °C | ほら | 1600 | ほら | ほら ほら NS | |
Tvj = 125 °C | ほら | 1800 | ほら | ||||
秋の時間 | ティフ | Tvj = 25 °C | ほら | 1100 | ほら | ||
Tvj = 125 °C | ほら | 1200 | ほら | ||||
オンスイッチング損失エネルギー | エオン | Tvj = 25 °C | ほら | 1400 | ほら | ロープ | |
Tvj = 125 °C | ほら | 1800 | ほら | ||||
オフスイッチング損失エネルギー | オーフ | Tvj = 25 °C | ほら | 1300 | ほら | ロープ | |
Tvj = 125 °C | ほら | 1700 | ほら | ||||
短回路電流 | シュ | tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V | ほら | 2500 | ほら | a について |
ほら
ダイオード特性値
パラメーター | シンボル | 条件 | ポイント | タイプ | 最大 | ユニット | |
順方向電圧 | VF について | IF =400A | Tvj = 25 °C | ほら | 2.3 | 2.6 | v について |
Tvj = 125 °C | ほら | 2.35 | 2.6 | ||||
逆回復電流 | Irr | ほら VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, | Tvj = 25 °C | ほら | 900 | ほら | a について |
Tvj = 125 °C | ほら | 1000 | ほら | ||||
回収された電荷 | Qrr | Tvj = 25 °C | ほら | 700 | ほら | µC | |
Tvj = 125 °C | ほら | 1000 | ほら | ||||
逆回復時間 | trr | Tvj = 25 °C | ほら | 850 | ほら | NS | |
Tvj = 125 °C | ほら | 2200 | ほら | ||||
逆再生エネルギー | エレック | Tvj =25 °C | ほら | 850 | ほら | ロープ | |
Tvj = 125 °C | ほら | 1300 | ほら |
ほら
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