IGBTモジュール 3300V

パラメータ

符号

条件

最小値

最大値

単ほら位

ゲート－エミッタ短絡時のコレクタほらエミッタ電圧

v についてCES

ほら

ほら

ほら

3300

v について

集電極電流

i についてc について

ほら

ほら

1500

a について

最大コレクタピーク電流

i についてセンチメートル

tp=1ms

ほら

3000

a について

コレクタ－エミッタ短絡時のゲートほらエミッタ電圧

v について総エネルギー

ほら

-20

20

v について

総消散電力

ptot

tc について=25°C,Tvj=150°C

ほら

14700

ワ

ダイオード順方向平均電流

i についてf について

ほら

ほら

1500

a について

ダイオード順方向再現可能ピーク電流

i についてFRM

ほら

ほら

3000

a について

ダイオードサージ電流

i についてFSM

v についてr=0Vtvj=150°C,tp=10msほら正弦半波

ほら

13500

a について

短絡安全動作領域

tpsc

v についてcc=2500V,v について遺伝子組み換え≤ほら15Vtvj≤ほら150°C

ほら

10

µs

绝缘電圧

v について孤立

1ポイントf=50 についてhz

ほら

6000

v について

結温

tvj

ほら

ほら

175

°c

動作結温

tvj(op)

ほら

-50

150

°c

ケース温度

tc について

ほら

-50

150

°c

保存温度

tSTG

ほら

-50

125

°c

ほら

取り付けトルク

ロープs

ベースプレートとヒートシンクの間m6ネジ

4

6

ほら

ほら

nm

ロープT1

主電極m8ネジ

8

10

ロープt2

補助電極m4ネジ

2

3

パラメータ

符号

条件

最小値

特性値

最大値

単位

ゲート－エミッタ短絡時のほらコレクタ－エミッタ電圧

v について( ありがとうございました)br) についてCES

v について遺伝子組み換え=0Vi についてc について=10ママほらtvj=25°C

3300

ほら

ほら

v について

コレクタ－エミッタ飽和電ほら圧

ほら

v についてCEsat

ほら

i についてc について=1500A,v について遺伝子組み換え=15V

tvj=25°C

ほら

2.5

2.9

v について

tvj=125°C

ほら

3.1

3.4

v について

tvj= 違うほら150°C

ほら

3.25

ほら

ほら

集電極カットオフ電流

ほら

i についてCES

ほら

v についてザ=3300V,v について遺伝子組み換え=0V

tvj=25°C

ほら

0.06

4

ママ

tvj=125°C

ほら

20

40

ママ

tvj= 違うほら150°C

ほら

100

ほら

ゲートリーク電流

i について総エネルギー

v についてザ=0Vv について遺伝子組み換え= 違うほら±20V,tvj=125°C

-500

ほら

500

ほら

ゲート－エミッタ閾値電圧

v について総額

i についてc について=240ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらtvj=25°C

5

ほら

7

v について

ゲートチャージ

qg

i についてc について=1500A,v についてザ=1800V,ほらv について遺伝子組み換え=-15V..15V

ほら

11

ほら

µC

输入電容量

c についてほら

ほら

v についてザ=25V,v について遺伝子組み換え=0V,f=1ワトソンほらほらtvj=25°C

ほら

151

ほら

ほら

ロープ

出力キャパシタンス

c についてオーエス

ほら

12.6

ほら

逆伝送容量

c についてレス

ほら

3.85

ほら

ほら

オン遅延

ほら

td( ありがとうございました)について) について

ほら

v についてcc=1800V,i についてc について=1500A,

v について遺伝子組み換え=±15VCge=330ロープほら

rg= 違うほら1.0オー,Lσ=280ほらほら

インダクティブ負荷

tvj=25°C

ほら

650

ほら

ほら

ほら

ほら

NS

tvj=125°C

ほら

590

ほら

tvj=150°C

ほら

590

ほら

ほら

立ち上がり時間

ほら

tr

tvj=25°C

ほら

240

ほら

tvj=125°C

ほら

270

ほら

tvj=150°C

ほら

280

ほら

ほら

シャットダウン遅延

td( ありがとうございました)オフ) について

ほら

v についてcc=1800V,i についてc について=1500A,

v について遺伝子組み換え=±15VCge=330ロープほら

rg= 違うほら1.0オー,Lσ=280ほらほら

インダクティブ負荷

tvj=25°C

ほら

1600

ほら

ほら

ほら

ほら

NS

tvj=125°C

ほら

1750

ほら

tvj=150°C

ほら

1800

ほら

ほら

下降時間

ほら

tf について

tvj=25°C

ほら

380

ほら

tvj=125°C

ほら

440

ほら

tvj=150°C

ほら

470

ほら

ほら

オンエネルギー

ほら

ほら

e についてについて

v についてcc=1800V,i についてc について=1500A,

v について遺伝子組み換え=±15VCge=330ロープほら

rg= 違うほら1.0オー,Lσ=280ほらほら

インダクティブ負荷

tvj=25°C

ほら

1600

ほら

ほら

ほら

ロープ

tvj=125°C

ほら

2150

ほら

tvj=150°C

ほら

2350

ほら

ほら

シャットダウンエネルギー

ほら

ほら

e についてオフ

v についてcc=1800V,i についてc について=1500A,

v について遺伝子組み換え=±15VCge=330ロープほら

rg= 違うほら1.0オー,Lσ=280ほらほら

インダクティブ負荷

tvj=25°C

ほら

2`00

ほら

ほら

ほら

ロープ

tvj=125°C

ほら

2800

ほら

tvj=150°C

ほら

3000

ほら

短絡電流

i についてスコ

tpsc≤10μsv について遺伝子組み換え=15Vtvj=150°C,ほらv についてcc=2500V,

ほら

6400

ほら

a について

寄生インダクタンス

わかったσザ

ほら

ほら

8

ほら

ほら

パラメータ

符号

条件

ほら

最小値

特性値

最大値

単位

ほら

ダイオード順方向平均電圧

ほら

v についてf について

ほら

i についてf について=1500A

tvj=25°C

ほら

2.05

2.5

ほら

v について

tvj=125°C

ほら

2.25

2.6

tvj= 違うほら150°C

ほら

2.2

ほら

ほら

反向復電流

ほら

i についてロープ

ほら

ほら

ほら

v についてcc=1800V,

i についてc について=1500A,

v について遺伝子組み換え=±15V

rg= 違うほら1.3オーほらほら

Cge=220ロープ

わかったσほら=280ほらほら

インダクティブ負荷

tvj=25°C

ほら

1700

ほら

a について

tvj=125°C

ほら

1850

ほら

a について

tvj= 違うほら150°C

ほら

1900

ほら

ほら

反向復電荷

ほら

qロープ

tvj=25°C

ほら

950

ほら

µC

tvj=125°C

ほら

1550

ほら

µC

tvj= 違うほら150°C

ほら

1800

ほら

ほら

逆回復時間

ほら

tロープ

tvj=25°C

ほら

1050

ほら

ほら

NS

tvj=125°C

ほら

1350

ほら

tvj= 違うほら150°C

ほら

1500

ほら

ほら

逆回復エネルギー

ほら

e についてレス

tvj=25°C

ほら

1150

ほら

ほら

ロープ

tvj=125°C

ほら

1900

ほら

tvj= 違うほら150°C

ほら

2250

ほら