IGBTモジュール 4500V

パラメータ

符号

条件

最小値

最大値

単 位

ゲート－エミッタ短絡時のコレクタほらエミッタ電圧

ほら

ほら

4500

v について

集電極電流

ほら

ほら

1200

a について

最大コレクタピーク電流

ほら

ほら

2400

a について

コレクタ－エミッタ短絡時のゲートほらエミッタ電圧

ほら

-20

20

v について

総消散電力

ほら

ほら

10500

ワ

ダイオード順方向平均電流

ほら

ほら

1200

a について

ダイオード順方向再現可能ピーク電流

i についてFRM

ほら

ほら

2400

a について

ダイオードサージ電流

i についてFSM

v についてr=0Vtvj=125°C,tp=10msほら正弦半波

ほら

9000

a について

短絡安全動作領域

tpsc

v についてcc=3400V,v について遺伝子組み換え≤    15Vtvj≤125°C

ほら

10

µs

绝缘電圧

v について孤立

1ポイントf=50 についてhz

ほら

7400

v について

結温

tvj

ほら

ほら

125

°c

動作結温

tvj( ありがとうございました)オプ) について

ほら

-40

125

°c

ケース温度

tc について

ほら

-40

125

°c

保存温度

tSTG

ほら

-50

125

°c

ほら

取り付けトルク

ロープs

ベースプレートとヒートシンクの間m6ネジ

4

6

ほら

ほら

nm

ロープt1

主電極m8ネジ

8

10

ロープt2

補助電極m4ネジ

2

3

パラメータ

符号

条件

最小値

特性値

最大値

単ほら位

ゲート－エミッタ短絡時のほらコレクタ－エミッタ電圧

v について( ありがとうございました)br) についてCES

v について遺伝子組み換え=0Vi についてc について=12ママほらtvj=25°C

4500

ほら

ほら

v について

コレクタ－エミッタ飽和電ほら圧

v についてCEsat

i についてc について= 違うほら1200Av について遺伝子組み換え=15V

tvj=25°C

ほら

2.6

2.9

v について

tvj=125°C

ほら

3.55

3.9

v について

集電極カットオフ電流

ほら

i についてCES

ほら

v についてザ=4500V,v について遺伝子組み換え=0V

tvj=25°C

ほら

ほら

12

ママ

tvj=125°C

ほら

ほら

120

ママ

ゲートリーク電流

i について総エネルギー

v についてザ=0Vv について遺伝子組み換え=±20V,tvj=125°C

-500

ほら

500

ほら

ゲート－エミッタ閾値電圧

v について総額

i についてc について=240ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらtvj=25°C

4.5

ほら

6.5

v について

ゲートチャージ

qg

i についてc について= 違うほら1200Av についてザ=2800V,v について遺伝子組み換え=-15V..15V

ほら

8.86

ほら

µC

输入電容量

c についてほら

ほら

v についてザ=25V,v について遺伝子組み換え=0V,f=1ワトソンほらほらtvj=25°C

ほら

120

ほら

ほら

ロープ

出力キャパシタンス

c についてオーエス

ほら

6.02

ほら

逆伝送容量

c についてレス

ほら

2.58

ほら

オン遅延

td( ありがとうございました)について) について

v についてcc=2800V,i についてc について= 違うほら1200A  V遺伝子組み換え=± についてほら15VCge=220ロープほらrg= 違うほら1.5オー,Lσほら= 違うほら150ほらほらほらインダクティブ負荷

tvj=25°C

ほら

40

ほら

ほら

ほら

NS

tvj=125°C

ほら

750

ほら

立ち上がり時間

tr

tvj=25°C

ほら

210

ほら

tvj=125°C

ほら

230

ほら

シャットダウン遅延

t消して

v についてcc=2800V,i についてc について= 違うほら1200A  V遺伝子組み換え=± についてほら15VCge=220ロープほらrg= 違うほら1.5オー,Lσほら= 違うほら150ほらほらほらインダクティブ負荷

tvj=25°C

ほら

2280

ほら

ほら

ほら

NS

tvj=125°C

ほら

2470

ほら

下降時間

tf について

tvj=25°C

ほら

600

ほら

tvj=125°C

ほら

660

ほら

ほら

オンエネルギー

ほら

ほら

e についてについて

v についてcc=2800V,i についてc について= 違うほら1200A  V遺伝子組み換え=± についてほら15VCge=220ロープほらrg= 違うほら1.5オー,Lσほら= 違うほら150ほらほらほらインダクティブ負荷

tvj=25°C

ほら

3080

ほら

ほら

ほら

ロープ

tvj=125°C

ほら

4350

ほら

ほら

シャットダウンエネルギー

ほら

ほら

e についてオフ

v についてcc=2800V,i についてc について= 違うほら1200A  V遺伝子組み換え=± についてほら15VCge=220ロープほらrg= 違うほら1.5オー,Lσ= 違うほら150ほらほらほらインダクティブ負荷

tvj=25°C

ほら

4960

ほら

ほら

ほら

ロープ

ほら

tvj=125°C

ほら

ほら

6000

ほら