IGBTモジュール 3300V

シンボル

パラメーター

試験条件

価値

ユニット

総額

集合器-放出器の電圧

VGE = 0V,TC= 25 °C

3300

v について

VGES

ゲート・エミッター・ボルト

TC= 25 °C

± 20

v について

ザ

コレクタ-エミッタ電流

TC = 100 °C

250

a について

IC(PK)

ピークコレクタ電流

tp=1ms

500

a について

総量

最大トランジスタ電力損失

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

kw

ポイント

ダイオード I2t

VR =0V,tP = 10ms,TVj = 150 °C

20

kA2s

ほら

Visol

隔離電圧 - モジュールあたり

(ベースプレートへの共通端末),AC RMS,1分,50Hz,TC=25 °C

ほら

6

ほら

クルブ

ほら

QPD

部分放電 - モジュールごとに

ほら

IEC1287 について V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

ほら

10

ほら

pc

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

ほら

ICES

ほら

ほら

コレクターの切断電流

VGE = 0V,VCE = VCES

ほら

ほら

1

ママ

VGE = 0V,VCE = VCES,TC=125 °C

ほら

ほら

15

ママ

VGE = 0V,VCE = VCES,TC=150 °C

ほら

ほら

25

ママ

ゲノム

ゲート漏れ電流

VGE = ±20V,VCE = 0V

ほら

ほら

1

微分数

標準値 (TH)

ゲート 限界電圧

IC = 20mA,VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

v について

ほら

ほら

VCE (sat) ((*1)

ほら

ほら

コレクター・エミッター飽和度ほら圧力は

VGE=15V,IC=250A

ほら

2.50

2.80

v について

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

ほら

3.15

3.45

v について

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

ほら

3.30

3.60

v について

だったら

ダイオード前流

dc

ほら

250

ほら

a について

IFRM

ダイオードピーク前電流

tP = 1ms

ほら

500

ほら

a について

ほら

ほら

ポイントは,

ほら

ほら

ダイオード前向き電圧

IF = 250A,VGE = 0

ほら

2.10

2.40

v について

IF = 250A,VGE = 0, Tvj = 125 °C

ほら

2.25

2.55

v について

IF = 250A,VGE = 0, Tvj = 150 °C

ほら

2.25

2.55

v について

ほら

シュ

短回路電流

Tvj = 150°C,VCC = 2500V,VGE ≤15V,tp ≤10μs,

VCE (最大) = VCES L (最大) *2) ×di/dt,IEC 6074-9

ほら

ほら

900

ほら

ほら

a について

ほら

ほら

ほら

ICES

ほら

ほら

コレクターの切断電流

VGE = 0V,VCE = VCES

ほら

ほら

1

ママ

VGE = 0V,VCE = VCES,TC=125 °C

ほら

ほら

15

ママ

VGE = 0V,VCE = VCES,TC=150 °C

ほら

ほら

25

ママ

ゲノム

ゲート漏れ電流

VGE = ±20V,VCE = 0V

ほら

ほら

1

微分数

標準値 (TH)

ゲート 限界電圧

IC = 20mA,VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

v について

ほら

ほら

VCE (sat) ((*1)

ほら

ほら

コレクター・エミッター飽和度

圧力は

VGE=15V,IC=250A

ほら

2.50

2.80

v について

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

ほら

3.15

3.45

v について

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

ほら

3.30

3.60

v について

だったら

ダイオード前流

dc

ほら

250

ほら

a について

IFRM

ダイオードピーク前電流

tP = 1ms

ほら

500

ほら

a について

ほら

ほら

ポイントは,

ほら

ほら

ダイオード前向き電圧

IF = 250A,VGE = 0

ほら

2.10

2.40

v について

IF = 250A,VGE = 0, Tvj = 125 °C

ほら

2.25

2.55

v について

IF = 250A,VGE = 0, Tvj = 150 °C

ほら

2.25

2.55

v について

ほら

シュ

ほら

短回路電流

Tvj = 150°C,VCC = 2500V,VGE ≤15V,tp ≤10μs,

VCE (最大) = VCES L (最大) *2) ×di/dt,IEC 6074-9

ほら

ほら

900

ほら

ほら

a について

ほら

t消して

ほら

オフ遅延時間

ほら

ほら

ほら

i についてc についてほら=250A

v についてザほら= 違うほら1800Vほらv について遺伝子組み換えほら= 違うわかった±15Vほらr消去するほら= 違うほら9.0Ωほらほらほらc について遺伝子組み換えほら= 違うほら56nF

わかったsほら= 違うほら150nH

tvj= 違うほら25ほら°c

ほら

1480

ほら

ほら

NS

tvj= 違うほら125ほら°c

ほら

1550

ほら

tvj= 違うほら150ほら°c

ほら

1570

ほら

ほら

tf について

ほら

秋の時間

tvj= 違うほら25ほら°c

ほら

1280

ほら

ほら

NS

tvj= 違うほら125ほら°c

ほら

1920

ほら

tvj= 違うほら150ほら°c

ほら

2120

ほら

ほら

e についてオフ

ほら

切断時のエネルギー損失

tvj= 違うほら25ほら°c

ほら

300

ほら

ほら

ロープ

tvj= 違うほら125ほら°c

ほら

380

ほら

tvj= 違うほら150ほら°c

ほら

400

ほら

ほら

tオンに

ほら

オンする遅延時間

ほら

ほら

ほら

i についてc についてほら=250A

v についてザほら= 違うほら1800Vわかったv について遺伝子組み換えほら= 違うわかった±15Vわかったrオーバーほら= 6.0Ωほらほらほらc について遺伝子組み換えほら= 違うほら56nF

わかったsほら= 違うほら150nH

tvj= 違うほら25ほら°c

ほら

640

ほら

ほら

NS

tvj= 違うほら125ほら°c

ほら

650

tvj= 違うほら150ほら°c

ほら

650

ほら

tr

ほら

昇る時間

tvj= 違うほら25ほら°c

ほら

220

ほら

ほら

NS

tvj= 違うほら125ほら°c

ほら

235

tvj= 違うほら150ほら°c

ほら

238

ほら

e についてについて

ほら

オンするエネルギーほら損失

tvj= 違うほら25ほら°c

ほら

395

ほら

ほら

ロープ

tvj= 違うほら125ほら°c

ほら

510

ほら

tvj= 違うほら150ほら°c

ほら

565

ほら

ほら

qロープ

ダイオードほら逆向き

リカバリーチャージ

ほら

ほら

ほら

ほら

i についてf についてほら=250A

v についてザほら= 違うほら1800V

- わかったi についてf について/dtほら= 違うほら1200A/USほら( ありがとうございました)tvj= 違うほら125ほらについて

tvj= 違うほら25ほら°c

ほら

190

ほら

ほら

微分

tvj= 違うほら125ほら°c

ほら

295

ほら

tvj= 違うほら150ほら°c

ほら

335

ほら

ほら

i についてロープ

ダイオードほら逆向き

回復電流

tvj= 違うほら25ほら°c

ほら

185

ほら

ほら

a について

tvj= 違うほら125ほら°c

ほら

210

ほら

tvj= 違うほら150ほら°c

ほら

216

ほら

ほら

e についてレス

ダイオードほら逆向き

回復エネルギー

tvj= 違うほら25ほら°c

ほら

223

ほら

ほら

ロープ

tvj= 違うほら125ほら°c

ほら

360

ほら

tvj= 違うほら150ほら°c

ほら

410

ほら