IGBTモジュール 3300V

（記号）

（パラメータ）

（試験条件）

(値)

（単位）

総額

集合器-放出器の電圧

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

v について

V GES

ゲート発射電圧

ほら

± 20

v について

I C

コレクタ-エミッタ電流

T ケース = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

a について

I C(PK)

ピークコレクタ電流

1ms,Tケース = 140 °C

1000

a について

P max

最大トランジスタ電力損失

Tvj = 150°C, T ケース = 25 °C

5.2

kw

I 2t

ダイオード

VR =0V, t P  = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

絶縁電圧 – モジュールごと

 共通端子をベースプレートに接続),

AC RMS,1 分, 50Hz

6000

v について

Q PD

部分放電 – モジュールごと

IEC1287 について V1 = 3500V,V2 = 2600V,50Hz RMS,TC = 25 °C

10

pc

tケースほら= 25°c についてわかったtほらケースわかった= 25°c についてほらしない限りほら明らかにしたほら違うなら

( ありがとうございました)シンボル) について

（パラメータ）

（試験条件）

( ありがとうございました)ポイント) について

( ありがとうございました)タイプ) について

( ありがとうございました)最大) について

( ありがとうございました)ユニット) について

ほら

ほら

i についてほらCES

コレクターの切断電流

v についてほら遺伝子組み換えほら= 0Vほらv についてザわかった= 違うほらv についてCES

ほら

ほら

1

ママ

v についてほら遺伝子組み換えほら= 0Vほらv についてザわかった= 違うほらv についてCESほらほらほらtほらケースほら=125 °C

ほら

ほら

30

ママ

v についてほら遺伝子組み換えほら= 0Vほらv についてザわかった= 違うv についてCESほらほらほらtほらケースほら=150 °C

ほら

ほら

50

ママ

i についてほら総エネルギー

ゲート漏れほら流動

v についてほら遺伝子組み換えほら= ±20Vほらv についてザわかった= 0V

ほら

ほら

1

微分数

v についてほら遺伝子組み換えほら(TH)

ゲート 限界電圧

i についてほらc についてほら= 40ママほらほらv についてほら遺伝子組み換えほら= 違うv についてザ

5.50

6.10

7.00

v について

ほら

ほら

v についてザほら( ありがとうございました)衛星) についてポイント

コレクター・エミッター飽和度ほら圧力は

v についてほら遺伝子組み換えほら=15Vi についてほらC  = 違うほら500a

ほら

2.40

2.90

v について

v についてほら遺伝子組み換えほら=15Vi についてほらc についてわかった= 500Atvjほら= 違うほら125ほら°c

ほら

2.95

3.40

v について

v についてほら遺伝子組み換えほら=15Vi についてほらc についてわかった= 500Atvjほら= 違うほら150ほら°c

ほら

3.10

3.60

v について

i についてほらf について

ダイオード前流

dc

ほら

500

ほら

a について

i についてほらFRM

ダイオード最大前向きほら流動

tほらpほら= 違うほら1ミリ秒

ほら

1000

ほら

a について

ほら

ほら

v についてf についてポイント

ほら

ダイオード前向き電圧

i についてほらf についてほら= 違うほら500a

ほら

2.10

2.60

v について

i についてほらf についてほら= 500Aほらtvjわかった= 違うほら125 °C

ほら

2.25

2.70

v について

i についてほらf についてほら= 500Aほらtvjわかった= 違うほら150 °C

ほら

2.25

2.70

v について

c についてほら

入力容量

v についてザほら= 25Vほらv についてほら遺伝子組み換えわかった= 0Vf についてほら= 違うほら1ワトソン

ほら

90

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

±15V

ほら

9

ほら

微分

c についてレス

逆転転送能力引用文

v についてザほら= 25Vほらv についてほら遺伝子組み換えわかった= 0Vf についてほら= 違うほら1ワトソン

ほら

2

ほら

ロープ

わかったほらロープ

模組ほら誘導力

ほら

ほら

25

ほら

ほら

rほらint について

内部トランジスタ抵抗

ほら

ほら

310

ほら

μΩ

ほら

ほら

i についてほらスコ

短回路ほら流量ほらi についてスコ

tvjほら= 違うほら150°Cほらv についてほらccほら= 2500Vほらv についてほら遺伝子組み換えほら≤15Vtpほら≤10μs,

v についてザ( ありがとうございました)最大) についてほら= 違うほらv についてCESほら–わかったほらポイントほら×ダイ/ わかったdtほら電気ほら製造された物

ほら

ほら

ほら

1800

ほら

ほら

ほら

a について

消して

オフ遅延時間

ほら

ほら

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

ほら

1720

ほら

NS

t f

秋の時間

ほら

520

ほら

NS

E OFF

切断時のエネルギー損失

ほら

780

ほら

ロープ

オン (オン)

オンする遅延時間

ほら

650

ほら

NS

について

昇る時間

ほら

260

ほら

NS

エオン

オンする時のエネルギー損失

ほら

730

ほら

ロープ

Qrr

ダイオード逆回復電荷

ほら

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

ほら

390

ほら

微分

I rr

ダイオード逆回復電流

ほら

420

ほら

a について

エレック

ダイオード逆回復エネルギー

ほら

480

ほら

ロープ

（記号）

 (パラメータ)

（試験条件）

(ミンス)

（典型）

 (最大)

（単位）

消して

オフ遅延時間

ほら

ほら

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

ほら

1860

ほら

NS

t f

秋の時間

ほら

550

ほら

NS

E OFF

切断時のエネルギー損失

ほら

900

ほら

ロープ

オン (オン)

オンする遅延時間

ほら

630

ほら

NS

について

立ち上がり時間昇る時間

ほら

280

ほら

NS

エオン

オンする時のエネルギー損失

ほら

880

ほら

ロープ

Qrr

ダイオード逆回復電荷

ほら

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

ほら

620

ほら

微分

I rr

ダイオード逆回復電流

ほら

460

ほら

a について

エレック

ダイオード逆回復エネルギー

ほら

760

ほら

ロープ

（記号）

(パラメータ)

（試験条件）

(ミンス)

 (典型)

 (最大)

（単位）

消して

オフ遅延時間

ほら

ほら

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

ほら

1920

ほら

NS

t f

 フォールタイム

ほら

560

ほら

NS

E OFF

切断時のエネルギー損失

ほら

1020

ほら

ロープ

オン (オン)

オンする遅延時間

ほら

620

ほら

NS

について

 立ち上がり時間

ほら

280

ほら

NS

エオン

オンする時のエネルギー損失

ほら

930

ほら

ロープ

Qrr

ダイオード逆回復電荷

ほら

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

ほら

720

ほら

微分

I rr

ダイオード逆回復電流

ほら

490

ほら

a について

エレック

ダイオード逆回復エネルギー

ほら

900

ほら

ロープ