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IGBTモジュール，1700V 1200A
主要なパラメータ
v についてCES | 1700 | v について | |
v についてザ( ありがとうございました)衛星) について | （典型） | 1.80 | v について |
i についてc について | (最大) | 1200 | a について |
i についてC(RM) | (最大) | 2400 | a について |
ほら
典型的なほら申請
特徴
ほら
絶対最大ほら評価
（記号） | （パラメータ） | （試験条件） | (値) | （単位） |
総額 | 集合器-放出器の電圧 | V GE = 0V,TC= 25°C | 1700 | v について |
V GES | ゲート・エミッター・ボルト | TC= 25°C | ± 20 | v について |
I C | コレクタ-エミッタ電流 | TC =75 °C | 1200 | a について |
I C(PK) | ピークコレクタ電流 | t P=1ms | 2400 | a について |
P max | 最大トランジスタ電力損失 | Tvj = 150│C, TC = 25°C | 5.68 | kw |
I 2t | ダイオード I 2t | VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125°C | 130 | kA2s |
ほら Visol | 絶縁電圧 – モジュールごと | （基板に共通端子）、 AC RMS,1分, 50Hz,TC= 25°C | 4000 | v について |
Q PD | 部分放電 – モジュールごと | IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25°C | 10 | pc |
ほら
ほら
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