IGBTモジュール 6500V

総額

6500 V

VCE(sat)        標準値

3.0 V

IC             最大値

750 A

IC(RM)         最大値

1500 A

シンボル

パラメーター

試験条件

価値

ユニット

v について_CES

集合器-放出器の電圧

VGE = 0V,TC= 25 °C

6500

v について

v について_{総エネルギー}

ゲート・エミッター・ボルト

TC= 25 °C

± 20

v について

i について_{c について}

コレクタ-エミッタ電流

TC = 80 °C

750

a について

i について_C(PK)

ピークコレクタ電流

tp=1ms

1500

a について

p_最大

最大トランジスタ電力損失

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

kw

i について²t

ダイオード I2t

VR =0V,tP = 10ms,TVj = 150 °C

460

kA2s

v について_孤立

隔離電圧 - モジュールあたり

 (ベースプレートに共通端子)、AC RMS,1分, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

クルブ

q_病状

部分放電 - モジュールごとに

IEC1287 について V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pc

Rth(J-C) IGBT

熱抵抗 - IGBT

ほら

ほら

ほら

8.5

K / kW

ほら

Rth(J-C) ダイオード

熱抵抗 - ダイオード

ほら

ほら

ほら

19.0

ほら

K / kW

ほら

Rth(C-H) IGBT

熱抵抗 -

ケースからヒートシンクまで (IGBT)

取り付けトルク 5Nm,

取り付けグリース 1W/m·°C

ほら

ほら

9

ほら

K / kW

ほら

Rth(C-H) ダイオード

熱抵抗 -

ケースからヒートシンクまで (ダイオード)

取り付けトルク 5Nm,

取り付けグリース 1W/m·°C

ほら

ほら

18

ほら

K / kW

テレビジョップ

交差点の動作温度

(IGBT)

-40

125

°c

(ダイオード)

-40

125

°c

ターゲット・ストーブ

保存温度

貯蔵温度範囲

ほら

-40

125

°c

ほら

ほら

ほら

ロープ

ほら

ほら

ネジトルク

取り付け   –M6

ほら

5

nm

電気接続   – M4

ほら

2

nm

電気接続   – M8

ほら

10

nm

符号 シンボル

参数名パラメーター

条件

試験条件

最小値ポイント

典型値タイプする

最大値オーケー

単位ユニット

ほら

ICES

ほら

集電極カットオフ電流

コレクターの切断電流

VGE = 0V,VCE = VCES

ほら

ほら

1

ママ

VGE = 0V,VCE = VCES,TC=125 °C

ほら

ほら

90

ママ

ゲノム

ゲートリーク電流

ゲート漏れ電流

VGE = ±20V,VCE = 0V

ほら

ほら

1

微分数

標準値 (TH)

ゲート- わかったエミッタ閾値電圧ゲート 限界電圧

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v について

ほら

VCE (sat) ((*1)

集電極- わかったエミッタ飽和電圧

コレクター・エミッター飽和度

圧力は

VGE =15V, IC = 750A

ほら

3.0

3.4

v について

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

ほら

3.9

4.3

v について

だったら

ダイオード正方向直流電流ダイオード前流

dc

ほら

750

ほら

a について

IFRM

二極管正向繰り返しピーク電流ダイオードピーク前電流

tP = 1ms

ほら

1500

ほら

a について

ほら

ポイントは,

ほら

二極管正向電圧

ダイオード前向き電圧

IF = 750A, VGE  = 0

ほら

2.55

2.90

v について

IF = 750A, VGE  = 0, Tvj  = 125 °C

ほら

2.90

3.30

v について

ほら

シュ

ほら

短絡電流

短回路電流

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE (最大) = VCES L (最大) *2) ×di/dt,IEC 6074-9

ほら

ほら

2800

ほら

ほら

a について

サイエス

输入電容量

入力容量

VCE = 25V,VGE = 0V,f = 100kHz

ほら

123

ほら

ロープ

司令部

ゲートチャージ

ゲートチャージ

±15V

ほら

9.4

ほら

微分

クレス

逆伝送容量

逆転移容量

VCE = 25V,VGE = 0V,f = 100kHz

ほら

2.6

ほら

ロープ

わかった

モジュールインダクタンス

モジュール誘導力

ほら

ほら

10

ほら

ほら

RINT

内部抵抗

内部トランジスタ抵抗

ほら

ほら

90

ほら

mΩ

ヽ ヽ_(オフ)

オフ遅延時間

オフ遅延時間

ほら

IC =750A,

VCE = 3600V,   VGE =  ±15V,   RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF,   LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

ほら

3060

ほら

NS

Tvj= 125 °C

ほら

3090

ほら

t_{f について}

下降時間秋の時間

Tvj= 25 °C

ほら

2390

ほら

NS

ほら

ロープ

ほら

NS

ほら

NS

ほら

ロープ

ほら

微分

Tvj= 125 °C

ほら

2980

ほら

e について_オフ

遮断損失

切断時のエネルギー損失

Tvj= 25 °C

ほら

3700

ほら

Tvj= 125 °C

ほら

4100

ほら

ヽ ヽ_(オン)

開通遅延時間

オンする遅延時間

ほら

IC =750A,

VCE = 3600V,  VGE =  ±15V,  RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF,  LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

ほら

670

ほら

Tvj= 125 °C

ほら

660

について

立ち上がり時間昇る時間

Tvj= 25 °C

ほら

330

ほら

Tvj= 125 °C

ほら

340

e について_について

開通損失

オンする時のエネルギー損失

Tvj= 25 °C

ほら

4400

ほら

Tvj= 125 °C

ほら

6100

ほら

Qrr

二極管逆回復電荷逆ダイオード

リカバリーチャージ

ほら

ほら

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

ほら

1300

ほら

Tvj= 125 °C

ほら

1680

ほら

Irr

二極管逆回復電流逆ダイオード

回復電流

Tvj= 25 °C

ほら

1310

ほら

a について

ほら

ロープ

Tvj= 125 °C

ほら

1460

ほら

エレック

二極管逆回復損失逆ダイオード

回復エネルギー

Tvj= 25 °C

ほら

2900

ほら

Tvj= 125 °C

ほら

4080

ほら