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簡潔な紹介
ティリスター/ダイオードモジュールe,MTx1000 MFx1000 金融機関,1000a について,水冷却,TECHSEMによって生産されています.
VRRM,VDRM | タイプとアウトライン | |
2000V 電気回路 2500V 2500V | MT3 単一の電源 MT3 単一の電源 MT3 単一の電源 単一のデータ | MFx800-20-411F3 MFx800-22-411F3 MFx800-25-411F3 |
MTxは MTC,MTA,mtk MFxは,あらゆる種類のMFC,MFA,MFKを表示しています. |
特徴
典型的なアプリケーション
シンボル |
特徴 |
試験条件 | Tj(°C) | 価値 |
ユニット | ||
ポイント | タイプ | 最大 | |||||
IT(AV) | 平均オン状態電流 | 180違う半正弦波 50Hz 片側冷却,THS=55°C |
125 |
|
| 800 | a について |
IT(RMS) | RMSオン状態電流 |
|
| 1256 | a について | ||
Idrm Irrm | 繰り返しピーク電流 | VDRMおよびVRRMで | 125 |
|
| 50 | ママ |
ITSM | サージオン状態電流 | VR=60%VRRM,t=10ms半正弦 | 125 |
|
| 16.0 | カ |
ポイント | 融解調整のためのI2t | 125 |
|
| 1280 | 103a について2s | |
VTO | 限界電圧 |
|
125 |
|
| 0.98 | v について |
ロープ | オン状態スロープ抵抗 |
|
| 0.35 | mΩ | ||
VTM | ピークオン状態電圧 | ITM=2400A | 25 |
|
| 2.35 | v について |
dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返し | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | ママ |
Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.8 |
| 3.0 | v について | ||
IH | ホールディング電流 | 10 |
| 200 | ママ | ||
について | ラッチ電流 |
|
| 1000 | ママ | ||
VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | v について |
Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | チップごとに単側冷却 |
|
|
| 0.050 | °C/W |
Rth(c-h) | ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 | チップごとに単側冷却 |
|
|
| 0.024 | °C/W |
ヴィソ | 絶縁電圧 | 速度は50Hz,RMS,t=1分,ISO:1mA (MAX) |
| 3000 |
|
| v について |
fm | 端末接続トーク ((M12) |
|
| 12 |
| 16 | N·m |
設置トルク (M8) |
|
| 10 |
| 12 | N·m | |
Tvj | 接合温度 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
ターゲット・ストーブ | 保存温度 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
wt | 体重 |
|
|
| 3230 |
| g |
概要 | 411F3 |
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