水冷却

VDRM VRRM

タイプとアウトライン

800V

MT3 単一のデータ

MFx800-08-414S3

1000V

MT3 単一のデータ

MFx800-10-414S3

1200V

MT3 単一のデータ

MFx800-12-414S3

1400V

MT3 単一のデータ

MFx800-14-414S3

1600V

MT3 単一のデータ

MFx800-16-414S3

1800V

MT3 単一のデータ

MFx800-18-414S3

1800V

単一のデータ

シンボル

特徴

試験条件

Tj(℃)

価値

ユニット

ポイント

タイプ

最大

IT(AV)

平均オン状態電流

180。半シナス波 50Hz 片側冷却,Tc=55°C

125

800

a について

IT(RMS)

RMSオン状態電流

180違う半正弦波 50Hz

1256

a について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

120

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms半シナス波,VR=0V

125

16

カ

ポイント

融解調整のためのI2t

1280

a について²s* 10³

VTO

限界電圧

135

0.80

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.26

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM= 1500A

25

1.45

v について

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

ゲートソース 1.5A

tr ≤0.5μs 繰り返し

125

200

A/μs

ゲン

ゲート制御遅延時間

IG= 1A dig/dt= 1A/μs

25

4

μs

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=800A, tp=2000μs, VR=50V dv/dt=20V/μs, di/dt=-10A/μs

125

250

µs

IGT

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

30

250

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

3.0

v について

IH

ホールディング電流

10

300

ママ

について

ラッチ電流

試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験

25

1500

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

0.25

v について

インターナショナル・ディレクター

引き金のないゲート電流

VDM=67%VDRM

125

5

ママ

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.065

℃/W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.020

℃/W

ヴィソ

絶縁電圧

50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX)

3000

v について

fm

端子接続トルク（M10）

10.0

12.0

N·m

取り付けトルク(M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

接合温度

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

125

°C

wt

体重

2100

g

概要

414S3