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簡潔な紹介
ティリスター/ダイオードモジュールe,MTx1000 MFx1000 金融機関，1000a について,水冷却，TECHSEMによって生産されています.
VRRM,VDRM | タイプとアウトライン | |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V | 単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単一の単 | MFx1000-06-411F3 について MFx1000-08-411F3 MFx1000-10-411F3 について MFx1000-12-411F3 について MFx1000-14-411F3 MFx1000-16-411F3 MFx1000-18-411F3 |
MTxは,MTC,MTA,MTKのあらゆるタイプを表します MFxは,あらゆる種類のMFC,MFA,MFKを表示しています. | ||
特徴
典型的なアプリケーション
シンボル |
特徴 |
試験条件 | Tj(°C) | 価値 |
ユニット | ||
ポイント | タイプ | 最大 | |||||
IT(AV) | 平均オン状態電流 | 180違う半正弦波 50Hz 片側冷却,THS=55°C |
125 |
|
| 1000 | a について |
IT(RMS) | RMSオン状態電流 |
|
| 1570 | a について | ||
Idrm Irrm | 繰り返しピーク電流 | VDRMおよびVRRMで | 125 |
|
| 55 | ママ |
ITSM | サージオン状態電流 | VR=60%VRRM,t=10ms半正弦 | 125 |
|
| 26.0 | カ |
ポイント | 融解調整のためのI2t | 125 |
|
| 3380 | 103a について2s | |
VTO | 限界電圧 |
|
125 |
|
| 0.81 | v について |
ロープ | オン状態スロープ抵抗 |
|
| 0.21 | mΩ | ||
VTM | ピークオン状態電圧 | ITM=3000A | 25 |
|
| 2.05 | v について |
dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返す | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | ママ |
Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.8 |
| 3.0 | v について | ||
IH | ホールディング電流 | 10 |
| 200 | ママ | ||
について | ラッチ電流 |
|
| 1000 | ママ | ||
VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | v について |
Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | 片側冷却 チップ1枚あたり |
|
|
| 0.048 | °C/W |
Rth(c-h) | ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 | 片側冷却 チップ1枚あたり |
|
|
| 0.018 | °C/W |
ヴィソ | 絶縁電圧 | 50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v について |
fm | 端末接続トーク ((M12) |
|
| 12 |
| 16 | N·m |
設置トルク (M8) |
|
| 10 |
| 12 | N·m | |
Tvj | 接合温度 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
ターゲット・ストーブ | 保存温度 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
wt | 体重 |
|
|
| 3230 |
| g |
概要 | 411F3 | ||||||
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