MTx1000 MFx1000 MT1000 ダイオードモジュール水冷却

水冷却

MTx1000 MFx1000 MT1000,スリスタ/ダイオードモジュール,水冷

1000A,2000V~2500V,411F3

Brand:

テクセム

Spu:

MTx1000 MFx1000 MT1000

Appurtenance:

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紹介
概要
等価回路の回路図

紹介

簡潔な紹介

ティリスター/ダイオードモジュールe,MTx1000 MFx1000 金融機関，1000a について,水冷却，TECHSEMによって生産されています.

VRRM,VDRM	タイプとアウトライン
2000V	MT3 単一のデータ	MFx1000-20-411F3
電気回路	MT3 単一のデータ	MFx1000-22-411F3
2500V	MT3 単一のデータ	MFx1000-25-411F3 について
2500V	単一のデータ

特徴

絶縁マウントベース 3000V~
圧力接触技術
増加した電力サイクル能力
スペースと重量の節約

典型的なアプリケーション

AC/DC モータードライブ
様々な整流器
PWM逆向の直流電源

シンボル	特徴	試験条件	Tj(°C)	価値			ユニット
シンボル	特徴	試験条件	Tj(°C)	ポイント	タイプ	最大	ユニット
IT(AV)	平均オン状態電流	180。半正弦波 50Hz 片側冷却,THS=55°C	125			1000	a について
IT(RMS)	RMSオン状態電流	180。半正弦波 50Hz 片側冷却,THS=55°C	125			1570	a について
Idrm Irrm	繰り返しピーク電流	VDRMおよびVRRMで	125			50	ママ
ITSM	サージオン状態電流	VR=60%VRRM,t=10ms半正弦	125			18.0	カ
ポイント	融解調整のためのI2t	VR=60%VRRM,t=10ms半正弦	125			1620	10³a について²s
VTO	限界電圧		125			0.85	v について
ロープ	オン状態スロープ抵抗		125			0.24	mΩ
VTM	ピークオン状態電圧	ITM=3000A	25			2.20	v について
dv/dt	オフステート電圧の急激な上昇率	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	オン状態の電流の上昇の臨界速度	ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返す	125			200	A/μs
IGT	ゲートトリガ電流	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	ママ
Vgt	ゲートトリガ電圧			0.8		3.0	v について
IH	ホールディング電流			10		200	ママ
について	ラッチ電流					1000	ママ
VGD	非トリガゲート電圧	VDM=67%VDRM	125			0.20	v について
Rth(j-c)	ジャンクションからケースへの熱抵抗	片側冷却チップ1枚あたり				0.048	。C/W
Rth(c-h)	ケースからヒートシンクまでの熱抵抗	片側冷却チップ1枚あたり				0.024	。C/W
ヴィソ	絶縁電圧	50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX)		3000			v について
fm	端末接続トーク ((M12)			12		16	N·m
fm	設置トルク (M8)			10		12	N·m
Tvj	接合温度			-40		125	°C
ターゲット・ストーブ	保存温度			-40		125	°C
wt	体重				3230		g
概要	411F3