GD450HFL170C2S、IGBTモジュール、1700V 450A、STARPOWER

IGBTモジュール 1700V

GD450HFL170C2S,IGBTモジュール,1700V450A,スタートパワー

IGBTモジュール，1700V 450A

Brand:

ストアパワー

Spu:

GD450HFL170C2S

紹介
概要

紹介

特徴

低VCE(sat) SPT+ゲンテクノロジー
10μs短回路能力
衛星の VCE (衛星)持ってる陽性温度定数
最大接合温度 175oC
低感受性ケース
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的なほら申請

モータードライブ用インバータ
風力タービン
高出力コンバータ

絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

ゲン

シンボル	記述	価値	ユニット
総額	集合器-放出器の電圧	1700	v について
VGES	ゲート・エミッター・ボルト	±20	v について
ザ	コレクター電流 @ TC=25oC @ TC=95oC	683 450	a について
ICM	パルスコレクター電流 tp=1ms	900	a について
病状	最大電力損失 T =175oC	2678	ワ

ほら

ダイオード

ほら

シンボル	記述	価値	ユニット
v についてRRM	繰り返しのピーク逆電圧	1700	v について
i についてf について	ダイオード連続前向き賃貸	450	a について
i についてfm	ダイオード最大前向き電流 tp=1ms	900	a について

模組

ほら

シンボル	記述	価値	ユニット
tjmax	交差点最大温度	175	ほらc について
tショウジョウ	交差点の動作温度	-40から+150	ほらc について
tSTG	保存温度範囲	-40から+125	ほらc について
v についてサイロ	隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1ポイント	4000	v について

ほら

ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

シンボル	パラメーター	試験条件	ポイント	タイプする	オーケー	ユニット
ほらほら衛星の VCE (衛星)	ほらほら収集機から発信機へ飽和電圧	IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC	ほら	2.00	2.45	ほらほら v について
		IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC	ほら	2.40	ほら
		IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC	ほら	2.50	ほら
総額は	ゲート-エミッタ閾値電圧	IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC	5.4	6.1	7.4	v について
ICES	収集器の切断流動	VCE=VCES,VGE=0V Tj=25°C	ほら	ほら	5.0	ママ
ゲノム	ゲート-エミッタリーク電流	VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC	ほら	ほら	400	ほら
RGint について	内部ゲート抵抗	ほら	ほら	0.3	ほら	オー
サイエス	入力容量	VCE=25V,f=1Mhz, VGE=0V	ほら	30.0	ほら	ロープ
クレス	逆転移転容量	VCE=25V,f=1Mhz, VGE=0V	ほら	1.08	ほら	ロープ
司令部	ゲートチャージ	VGE=-15...+15V	ほら	2.70	ほら	微分
オン (オン)	オンする遅延時間	ほらほら VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC	ほら	504	ほら	NS
について	昇る時間		ほら	183	ほら	NS
消して	オフ遅延時間		ほら	616	ほら	NS
ティフ	秋の時間		ほら	188	ほら	NS
エオン	オン切り替え損失		ほら	126	ほら	ロープ
オーフ	切断する損失		ほら	89	ほら	ロープ
オン (オン)	オンする遅延時間	ほらほら VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC	ほら	506	ほら	NS
について	昇る時間		ほら	194	ほら	NS
消して	オフ遅延時間		ほら	704	ほら	NS
ティフ	秋の時間		ほら	352	ほら	NS
エオン	オン切り替え損失		ほら	162	ほら	ロープ
オーフ	切断する損失		ほら	124	ほら	ロープ
オン (オン)	オンする遅延時間	ほらほら VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC	ほら	510	ほら	NS
について	昇る時間		ほら	198	ほら	NS
消して	オフ遅延時間		ほら	727	ほら	NS
ティフ	秋の時間		ほら	429	ほら	NS
エオン	オン切り替え損失		ほら	174	ほら	ロープ
オーフ	切断する損失		ほら	132	ほら	ロープ
ほらシュ	ほら SC データ	試験用電池の電源が電源の電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源 Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V	ほら	ほら 1440	ほら	ほら a について

ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

シンボル	パラメーター	試験条件	ポイント	タイプする	オーケー	ユニット
ほら v についてf について	ダイオード前向き圧力は	i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について	ほら	1.87	2.32	ほら v について
		i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について	ほら	2.00	ほら
		i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら150ほらc について	ほら	2.05	ほら
qr	回収された電荷	v についてr=900V,If について=450A -di/dt=3000A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について	ほら	107	ほら	微分
i についてロープ	ピーク逆回復電流		ほら	519	ほら	a について
e についてレス	逆転回復エネルギー		ほら	75	ほら	ロープ
qr	回収された電荷	v についてr=900V,If について=450A -di/dt=3000A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について	ほら	159	ほら	微分
i についてロープ	ピーク逆回復電流		ほら	597	ほら	a について
e についてレス	逆転回復エネルギー		ほら	113	ほら	ロープ
qr	回収された電荷	v についてr=900V,If について=450A -di/dt=3000A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら150ほらc について	ほら	170	ほら	微分
i についてロープ	ピーク逆回復電流		ほら	611	ほら	a について
e についてレス	逆転回復エネルギー		ほら	119	ほら	ロープ

模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

シンボル	パラメーター	ポイント	タイプする	オーケー	ユニット
わかったザ	流れる誘導力	ほら	ほら	20	ほら
rCC+EE	モジュールリード抵抗,端末からチップ	ほら	0.35	ほら	mΩ
rthJC	ケース対ケース (IGBごとに)T) について交差点 (Dあたり)ヨード)	ほら	ほら	0.056 0.112	総量
ほら rthCH	ケースからヒートシンクへの（per IGBT）ケースからヒートシンクへの（per ダイオード）ケースからヒートシンクへの（per模块)	ほら	0.105 0.210 0.035	ほら	総量
ロープ	端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6	2.5 3.0	ほら	5.0 5.0	ラング
g	体重ほらについてほら模組	ほら	300	ほら	g