IGBTモジュール 1700V

シンボル

記述

GD400SGT170C2S

単位

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1700

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について= 違う25°C

@ Tc について=80 について°C

700

a について

400

i についてセンチメートル(1) について

パルスコレクター電流 tp=1ms

800

a について

i についてf について

ダイオード 連続前流

400

a について

i についてfm

ダイオード 最大前向き回転賃貸

800

a について

pd

最大電源 消耗 @ Tj について= 違うほら175°C

3000

ワ

tスコ

短回路 耐える時間 @ Tj について=125 について°C

10

μs

tjmax

交差点最大温度

175

°C

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

°C

i について2t値,ダイオード

v についてr=0V,t=10ms,Tj について=125 について°C

25500

a について2s

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

4000

v について

ほら

固定トルク

電力端末スクリュー:M4

電力端末スクリュー:M6

1.1 からほら2.0

2.5からほら5.0

ラング

設置ほらスクリュー:M6

平均的なほら5.0

ラング

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について( ありがとうございました)br) についてCES

収集-発信

断定電圧

v について遺伝子組み換え=0Vほらi についてc について= 違うほら14mA,tj について=25°C

1700

ほら

ほら

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフほら流動

v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

3.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

400

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値

圧力は

i についてc について= 違うほら16mA,Vザ=V遺伝子組み換えほらtj について=25°C

5.2

5.8

6.4

v について

ほら

ほら

v について衛星

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25°C

ほら

2.00

2.45

ほら

ほら

v について

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら125°C

ほら

2.40

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

v についてcc=900V,Ic について=400A,

ほら

278

ほら

NS

tr

昇る時間

rg=3.6Ω,V遺伝子組み換え= 違うほら±15ほらv,

ほら

81

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

tj について=25°C

ほら

802

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

v についてcc=900V,Ic について=400A,   rg=3.6Ω,V遺伝子組み換え= 違うほら±15ほらv,tj について=25°C

ほら

119

ほら

NS

e についてについて

オン 切り替え

損失

ほら

104

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

86

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=400A,   rg=3.6Ω,V遺伝子組み換え= 違うほら±15ほらv,ほらtj について= 違うほら125°C

ほら

302

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

99

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

1002

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

198

ほら

NS

e についてについて

オン 切り替え

損失

ほら

136

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

124

ほら

ロープ

c についてほら

入力容量

ほら

v についてザ電気回路が1Mhzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

36

ほら

ロープ

c についてオーエス

輸出容量

ほら

1.5

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

1.2

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tsc について≤10μs,v について遺伝子組み換え=15V

tj について=125 について°Cバイトcc= 違うほら1000V,v について単数≤1700V

ほら

ほら

1600

ほら

ほら

a について

rゲント

内部ゲート抵抗タンス

ほら

ほら

1.9

ほら

オー

わかったザ

流れる誘導力

ほら

ほら

ほら

20

ほら

rcc+ロープほら’

モジュール鉛抵抗薬剤剤剤ほらターミナルからチップへ

tc について=25°C

ほら

0.18

ほら

ロープオー

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=400A

tj について=25°C

ほら

1.80

2.20

v について

tj について= 違うほら125°C

ほら

1.90

ほら

qr

逆ダイオード

リカバリーチャージ

ほら

i についてf について=400A,

v についてr=900ほらv,

di/dt=-4250A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=- やってるほら15v

tj について=25°C

ほら

99

ほら

微分

tj について= 違うほら125°C

ほら

172

ほら

ほら

i についてロープ

ダイオードピーク

逆転回復ほら流動

tj について=25°C

ほら

441

ほら

ほら

a について

tj について= 違うほら125°C

ほら

478

ほら

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

tj について=25°C

ほら

53

ほら

ロープ

tj について= 違うほら125°C

ほら

97

ほら

シンボル

パラメーター

タイプする

オーケー

単位

rθJC さん

接続 (IGBT 部分,pe)模块)

ほら

0.05

総量

rθJC さん

ユニオン・トゥ・ケース (モジュールごとにDIOD部品)について

ほら

0.09

総量

rθcs

ケースからシンク (電導性油脂)回答しました)

0.035

ほら

総量

体重

体重ほらについてほら模組

300

ほら

g