IGBTモジュール 1700V

シンボル

記述

GD400HFT170C3S

単位

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1700

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター 走行 @tc について=25°C

@ Tc について= 違うほら100°C

615

400

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

800

a について

i についてf について

ダイオード 連続前向き賃貸

400

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

800

a について

pd

最大電源分散 @ Tj について=175°C

2.49

kw

tjmax

交差点最大温度

175

°C

tショウジョウ

交差点最大温度

-40から+150

°C

tSTG

保存温度範囲

-40から+125

°C

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1ポイント

4000

v について

ほら

ロープ

端末接続トークほらスクロールM4

平均ほら2.1

ほら

端末接続トークほらスクロール M8

平均値ほら10

ラング

固定トークほらスクリューM6

4.25 から 5.75

ほら

g

重さほら模組

1500

g

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について( ありがとうございました)br) についてCES

収集-発信

断定電圧

tj について=25°C

1700

ほら

ほら

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ

流動

v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vtj について=25°C

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

400

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について=16.0ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25°C

5.2

5.8

6.4

v について

ほら

v について衛星

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25°C

ほら

2.00

2.45

ほら

v について

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 について°C

ほら

2.40

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=400A,わかったrg=3.6Ω,V遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=25°C

ほら

281

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

79

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

795

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

120

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

104

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

86

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=400A,わかったrg=3.6Ω,V遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=125 について°C

ほら

299

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

102

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

998

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

202

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

136

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

124

ほら

ロープ

c についてほら

入力容量

v についてザ電気回路が1Mhzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

35.3

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

1.17

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

SC データ

tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15ほらv,

tj について=125 について°Cv についてcc=900Vほらv について単数≤1200V

ほら

1600

ほら

a について

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

ほら

ほら

3.1

ほら

オー

わかったザ

流れる誘導力

ほら

ほら

20

ほら

ほら

ほら

rCC+EE

模板リード

抵抗力

ターミナルからチップへ

ほら

ほら

ほら

0.37

ほら

ほら

mΩ

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=400A

tj について=25°C

ほら

1.80

2.20

v について

tj について=125 について°C

ほら

1.90

ほら

qr

回復した

料金

i についてf について=400A,

v についてr=900V

rg=3.6Ω,

v について遺伝子組み換え=15V

tj について=25°C

ほら

100

ほら

微分

tj について=125 について°C

ほら

170

ほら

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

tj について=25°C

ほら

440

ほら

a について

tj について=125 について°C

ほら

480

ほら

e についてレス

逆転回復エネルギー

tj について=25°C

ほら

54.0

ほら

ロープ

tj について=125 について°C

ほら

95.0

ほら

シンボル

パラメーター

タイプする

オーケー

単位

rθJC さん

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

ほら

60.3

電力量

rθJC さん

交差点 (Dあたり)ヨード)

ほら

109

電力量

rθcs

ケースからシンク (電導性油脂の適用)嘘)

6

ほら

電力量