IGBTモジュール 1200V

シンボル

記述

GD400HFT120C2S

単位

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=25°C

@ Tc について=80 について°C

600

a について

400

i についてCM (CM) (1)

パルスコレクター電流 tp=1ms

800

a について

i についてf について

ダイオード連続順方向電流    @ Tc について=80 について°C

400

a について

i についてfm

ダイオード最大順方向電流    tp=1ms

800

a について

pd

最大電源 消耗tj について=150 について°C

2119

ワ

tjmax

交差点最大温度

150

°C

tSTG

貯蔵温度範囲

-40からほら+125

°C

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v について

設置

電力端末ほらスクリュー:M6

2.5からほら5.0

ラング

トーク

設置ほらスクリュー:M6

平均的なほら5.0

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について(BR)CES

収集-発信

断定電圧

tj について=25°C

1200

ほら

ほら

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフほら流動

v についてザ=VCESバイト遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

流動

v について遺伝子組み換え=V総エネルギーバイトザ=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

400

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について総額

ゲート発信者の限界値

圧力は

i についてc について=16mA,Vザ=V遺伝子組み換えほらほらtj について=25°C

5.0

5.8

6.5

v について

ほら

ほら

v について衛星

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25°C

ほら

1.70

2.15

ほら

ほら

v について

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 について°C

ほら

2.00

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

tオンに

オンする遅延時間

ほら

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,   rg=1.8Ω,V遺伝子組み換え= 違う±15Vほらtj について=25°C

ほら

250

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

39

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

500

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

100

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

17.0

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

42.0

ほら

ロープ

tオンに

オンする遅延時間

ほら

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,   rg=1.8Ω,V遺伝子組み換え= 違う±15Vほらtj について=125 について°C

ほら

299

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

46

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

605

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

155

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

25.1

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

61.9

ほら

ロープ

c についてほら

入力容量

ほら

v についてザ電気回路が1Mhzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

28.8

ほら

ロープ

c についてオーエス

輸出容量

ほら

1.51

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

1.31

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tsc について≤10μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 について°Cほら

v についてcc=600Vほらv について単数ほら≤1200V

ほら

ほら

1600

ほら

ほら

a について

rゲント

内部ゲート抵抗

ほら

ほら

1.9

ほら

Ω

わかったザ

流れる誘導力

ほら

ほら

ほら

20

ほら

rcc+ロープ’

モジュールリードレジスタについてほらターミナルからチップへ

tc について=25°C

ほら

0.35

ほら

ロープオー

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=400A

tj について=25°C

ほら

1.65

2.15

v について

tj について=125 について°C

ほら

1.65

ほら

qr

回収された電荷

ほら

i についてf について=400A,

v についてr=600V

di/dt=-6000A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=15V

tj について=25°C

ほら

44

ほら

微分

tj について=125 について°C

ほら

78

ほら

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

tj について=25°C

ほら

490

ほら

a について

tj について=125 について°C

ほら

555

ほら

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

tj について=25°C

ほら

19.0

ほら

ロープ

tj について=125 について°C

ほら

35.1

ほら

シンボル

パラメーター

タイプする

オーケー

単位

rθJC

接合- わかったについて- わかったケース( ありがとうございました)perIGBT) について

ほら

0.059

総量

rθJC

接合部からケースまで (perダイオード)

ほら

0.106

総量

rθCS

ケースからヒートシンクまで (導電性グリース適用)

0.035

ほら

総量

体重

重さほら模組

300

ほら

g