IGBTモジュール 1700V

シンボル

記述

価値

ユニット

総額

集合器-放出器の電圧

1700

v について

VGES

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

ザ

コレクター電流 @ TC=25oC

コレクター電流ほら@ TC=65oC

4446

3600

a について

ICM

パルスコレクター 電流 tp=1ms

7200

a について

病状

最大電力損失  @ Tj=175oC

15.3

kw

シンボル

記述

価値

ユニット

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

v について

だったら

ダイオード 連続前流

3600

a について

ifm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

7200

a について

シンボル

記述

価値

ユニット

Tjmax 合計

交差点最大温度

175

^ほらc について

バイバイ

交差点の動作温度

-40から+150

^ほらc について

ターゲット・ストーブ

貯蔵温度範囲

-40から+125

^ほらc について

ヴィソ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

4000

v について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

衛星の VCE (衛星)

ほら

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

ほら

2.00

2.45

ほら

ほら

v について

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

ほら

2.40

ほら

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

ほら

2.50

ほら

総額は

ゲート-エミッタ閾値電圧

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

v について

ICES

収集器の切断

流動

VCE=VCES,VGE=0V

Tj=25°C

ほら

ほら

5.0

ママ

ゲノム

ゲート-エミッタリーク電流

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

ほら

ほら

400

ほら

RGint について

内部ゲート抵抗

ほら

ほら

0.53

ほら

オー

サイエス

入力容量

VCE=25V,f=1Mhz,

VGE=0V

ほら

240

ほら

ロープ

クレス

逆転移転

容量

ほら

8.64

ほら

ロープ

司令部

ゲートチャージ

VGE=+15…+15V

ほら

21.6

ほら

微分

オン (オン)

オンする遅延時間

ほら

ほら

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=25oC

ほら

660

ほら

NS

について

昇る時間

ほら

280

ほら

NS

消して

オフ遅延時間

ほら

1600

ほら

NS

ティフ

秋の時間

ほら

175

ほら

NS

エオン

オン 切り替え

損失

ほら

650

ほら

ロープ

オーフ

切断する

損失

ほら

1100

ほら

ロープ

オン (オン)

オンする遅延時間

ほら

ほら

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=125oC

ほら

740

ほら

NS

について

昇る時間

ほら

290

ほら

NS

消して

オフ遅延時間

ほら

1800

ほら

NS

ティフ

秋の時間

ほら

315

ほら

NS

エオン

オン 切り替え

損失

ほら

800

ほら

ロープ

オーフ

切断する

損失

ほら

1500

ほら

ロープ

オン (オン)

オンする遅延時間

ほら

ほら

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=150oC

ほら

780

ほら

NS

について

昇る時間

ほら

295

ほら

NS

消して

オフ遅延時間

ほら

1850

ほら

NS

ティフ

秋の時間

ほら

395

ほら

NS

エオン

オン 切り替え

損失

ほら

900

ほら

ロープ

オーフ

切断する

損失

ほら

1600

ほら

ロープ

ほら

シュ

ほら

SC データ

試験用電池の電源が電源の電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

ほら

ほら

14

ほら

ほら

カ

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

VF について

ダイオード 前向き

圧力は

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

ほら

1.80

2.25

ほら

v について

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

ほら

1.95

ほら

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

ほら

1.90

ほら

qr

回収された電荷

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

ほら

730

ほら

微分

IRM

ピーク逆

回復電流

ほら

2600

ほら

a について

エレック

逆再生エネルギー

ほら

490

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

ほら

1350

ほら

微分

IRM

ピーク逆

回復電流

ほら

3150

ほら

a について

エレック

逆再生エネルギー

ほら

950

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

ほら

1550

ほら

微分

IRM

ピーク逆

回復電流

ほら

3300

ほら

a について

エレック

逆再生エネルギー

ほら

1100

ほら

ロープ

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

LCE

流れる誘導力

ほら

6.0

ほら

ほら

RCC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

ほら

0.12

ほら

mΩ

RthJC

接続・ケース (IGBTごとに)

ケースへの接点 (ダイオードごとに)

ほら

ほら

9.8

16.3

電力量

ほら

RthCH

ケースからヒートシンクへ (IGBTごと)

ケースからヒートシンクへの接続 (ダイオードごと)

ケースからヒートシンクへの接続 (モジュールごと)

ほら

6.5

10.7

4.0

ほら

電力量

ほら

ロープ

端子接続トルク, スクリュー M4 端子接続トルク, スクリュー M8 取り付けトルク, スクリュー M6

1.8

8.0

4.25

ほら

2.1

10

5.75

ほら

ラング

g

モジュールの重量

ほら

2300

ほら

g