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IGBT モジュール,1200V 300A,3レベル 1つのパッケージ
特徴
典型的なほら申請
絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
T1,T2 IGBT
ほら
シンボル | 記述 | 値 | ユニット |
v についてCES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v について |
v について総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v について |
i についてc について | コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について @ Tc について= 違うほら100ほらc について | 483 300 | a について |
i についてセンチメートル | パルスコレクター電流 tp=1ms | 600 | a について |
pd | 最大電源分散 @ Tほら=175ほらc について | 1612 | ワ |
D1,D2ダイオード
ほら
シンボル | 記述 | 値 | ユニット |
v についてRRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | 1200 | v について |
i についてf について | ダイオード 連続前向き賃貸 | 300 | a について |
i についてfm | ダイオード最大前向き電流 tp=1ms | 600 | a について |
T3,T4 IGBT
ほら
シンボル | 記述 | 値 | ユニット |
v についてCES | 集合器-放出器の電圧 | 650 | v について |
v について総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v について |
i についてc について | コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について @ Tc について=60ほらc について | 372 300 | a について |
i についてセンチメートル | パルスコレクター電流 tp=1ms | 600 | a について |
pd | 最大電源分散 @ Tほら=175ほらc について | 920 | ワ |
D3,D4ダイオード
ほら
シンボル | 記述 | 値 | ユニット |
v についてRRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | 650 | v について |
i についてf について | ダイオード 連続前向き賃貸 | 300 | a について |
i についてfm | ダイオード最大前向き電流 tp=1ms | 600 | a について |
模組
ほら
シンボル | 記述 | 値 | ユニット |
tjmax | 交差点最大温度 | 175 | ほらc について |
tショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+150 | ほらc について |
tSTG | 保存温度範囲 | -40から+125 | ほらc について |
v についてサイロ | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1ポイント | 4000 | v について |
T1,T2ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
ほら ほら v について衛星 | ほら ほら 収集機から発信機へ 飽和電圧 | i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について | ほら | 1.70 | 2.15 | ほら ほら v について |
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について | ほら | 1.95 | ほら | |||
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について | ほら | 2.00 | ほら | |||
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について | ゲート発信者の限界値ほら圧力は | i についてc について=7.50ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について | 5.2 | 6.0 | 6.8 | v について |
i についてCES | 収集家ほら切る- わかったオフ 流動 | v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V tj について=25ほらc について | ほら | ほら | 1.0 | ママ |
i について総エネルギー | ゲート発射器の漏れほら流動 | v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について | ほら | ほら | 400 | ほら |
rゲント | 内部ゲート抵抗アンス | ほら | ほら | 2.5 | ほら | オー |
c についてほら | 入力容量 | v についてザ電気回路が1Mhzで v について遺伝子組み換え=0V | ほら | 21.0 | ほら | ロープ |
c についてレス | 逆転移転 容量 | ほら | 1.20 | ほら | ロープ | |
qg | ゲートチャージ | v について遺伝子組み換え=-15...+15V | ほら | 2.60 | ほら | 微分 |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=300Aわかったrg= 違うほら1.3Ω v について遺伝子組み換え=±15Vtj について=25ほらc について | ほら | 182 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 54 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 464 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 72 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え 損失 | ほら | 10.6 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断する 損失 | ほら | 25.8 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=300Aわかったrg= 違うほら1.3Ω v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について | ほら | 193 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 54 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 577 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 113 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え 損失 | ほら | 16.8 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断する 損失 | ほら | 38.6 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=300Aわかったrg= 違うほら1.3Ω v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら150ほらc について | ほら | 203 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 54 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 618 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 124 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え 損失 | ほら | 18.5 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断する 損失 | ほら | 43.3 | ほら | ロープ | |
ほら i についてスコ | ほら SC データ | tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V tj について=150 についてほらC,Vcc=900Vほらv について単数≤1200V | ほら | ほら 1200 | ほら | ほら a について |
D1,D2ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 |
ほら v についてf について | ダイオード 前向き 圧力は | i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について | ほら | 1.65 | 2.10 | ほら v について |
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=125 についてほらc について | ほら | 1.65 | ほら | |||
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=150 についてほらc について | ほら | 1.65 | ほら | |||
qr | 回復した 料金 | ほら v についてcc=600V,If について=300A -di/dt=6050A/μs,V遺伝子組み換え=15Vtj について=25ほらc について | ほら | 29 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 318 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 18.1 | ほら | ロープ | |
qr | 回復した 料金 | ほら v についてcc=600V,If について=300A -di/dt=6050A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について | ほら | 55 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 371 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 28.0 | ほら | ロープ | |
qr | 回復した 料金 | ほら v についてcc=600V,If について=300A -di/dt=6050A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら150ほらc について | ほら | 64 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 390 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 32.8 | ほら | ロープ |
T3,T4ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
ほら ほら v について衛星 | ほら ほら 収集機から発信機へ 飽和電圧 | i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について | ほら | 1.45 | 1.90 | ほら ほら v について |
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について | ほら | 1.60 | ほら | |||
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について | ほら | 1.70 | ほら | |||
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について | ゲート発信者の限界値ほら圧力は | i についてc について=4.8ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について | 5.1 | 5.8 | 6.5 | v について |
i についてCES | 収集家ほら切る- わかったオフ 流動 | v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V tj について=25ほらc について | ほら | ほら | 1.0 | ママ |
i について総エネルギー | ゲート発射器の漏れほら流動 | v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について | ほら | ほら | 400 | ほら |
rゲント | 内部ゲート抵抗アンス | ほら | ほら | 1.0 | ほら | オー |
c についてほら | 入力容量 | v についてザ電気回路が1Mhzで v について遺伝子組み換え=0V | ほら | 17.1 | ほら | ロープ |
c についてレス | 逆転移転 容量 | ほら | 0.51 | ほら | ロープ | |
qg | ゲートチャージ | v について遺伝子組み換え=-15ほらほら+15V | ほら | 2.88 | ほら | 微分 |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=300V,Ic について=300Aわかったrg=2.4Ω, v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=25ほらc について | ほら | 88 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 40 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 294 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 43 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え 損失 | ほら | 1.34 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断する 損失 | ほら | 8.60 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=300V,Ic について=300Aわかったrg=2.4Ω, v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=125 についてほらc について | ほら | 96 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 48 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 312 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 60 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え 損失 | ほら | 1.86 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断する 損失 | ほら | 10.8 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=300V,Ic について=300Aわかったrg=2.4Ω, v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=150 についてほらc について | ほら | 104 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 48 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 318 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 60 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え 損失 | ほら | 1.98 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断する 損失 | ほら | 11.3 | ほら | ロープ | |
ほら i についてスコ | ほら SC データ | tp≤6μsv について遺伝子組み換え=15V tj について=150 についてほらC,Vcc=360Vほらv について単数≤650V | ほら | ほら 1500 | ほら | ほら a について |
D3,D4ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
ほら v についてf について | ダイオード 前向き 圧力は | i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について | ほら | 1.55 | 1.95 | ほら v について |
i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=125 についてほらc について | ほら | 1.50 | ほら | |||
i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=150 についてほらc について | ほら | 1.45 | ほら | |||
qr | 回復した 料金 | ほら v についてr=300V,If について=300A -di/dt=7150A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について | ほら | 14.3 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 209 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 3.74 | ほら | ロープ | |
qr | 回復した 料金 | ほら v についてr=300V,If について=300A -di/dt=7150A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について | ほら | 26.4 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 259 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 6.82 | ほら | ロープ | |
qr | 回復した 料金 | ほら v についてr=300V,If について=300A -di/dt=7150A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について | ほら | 30.8 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 275 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 7.70 | ほら | ロープ |
ほら
模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
ほら rthJC | 交差点からケース (T1あたり)T2 IGBT) 交差点とケース (D1,D2 Dio 単位で)de) について 交差点からケース (T3あたり)T4 IGBT) ケースへの接点 (D3,D4 Dioごとに)de) について | ほら | ほら | 0.093 0.158 0.163 0.299 | ほら 総量 |
ほら ほら rthCH | ケースからヒートシンクへの(perT1,T2 IGBT) ケースからヒートシンク (D1,D2あたり)ダイオード) ケースからヒートシンクへの(perT3,T4 IGBT) ケースからヒートシンク (D3,D4あたり)ダイオード) ケースからヒートシンクへの(per模块) | ほら | 0.050 0.083 0.087 0.160 0.010 | ほら | ほら ほら 総量 |
ロープ | 端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6 | 2.5 3.0 | ほら | 5.0 5.0 | ラング |
g | 体重ほらについてほら模組 | ほら | 340 | ほら | g |
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