IGBTモジュール 1200V

シンボル

記述

GD300SGL120C2S

単位

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について= 違う25°C

@ Tc について= 違うほら100°C

600

a について

300

i についてセンチメートル(1) について

パルス・コレクター・カールについて

600

a について

i についてf について

ダイオード 連続前流

300

a について

i についてfm

ダイオード 最大前向き回転賃貸

600

a について

pd

最大電源 消耗 @ Tj について= 違うほら175°C

3000

ワ

tスコ

短回路 耐える時間 @ Tj について=125 について°C

10

μs

tjmax

交差点最大温度

175

°C

tj について

交差点の動作温度

-40から+150

°C

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

°C

i について2ダイオード

v についてr=0V,t=10ms,Tj について=125 について°C

19000

a について2s

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v について

ほら

固定トルク

信号ターミナルほらスクリュー:M4

1.ほら1からほら2.0

ラング

電力端末スクリュー:M6

2.5からほら5.0

ほら

設置ほらスクリュー:M6

3ほらについてほら6

ラング

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

バイCES

収集-発信

断定電圧

tj について=25°C

1200

ほら

ほら

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフほら流動

v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

400

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値

圧力は

i についてc について= 違うほら12mA,Vザ=V遺伝子組み換えほらtj について=25°C

5

6.2

7.0

v について

ほら

ほら

v について衛星

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25°C

ほら

1.9

ほら

ほら

ほら

v について

i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら125°C

ほら

2.1

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

v についてcc=600V,Ic について=300A

ほら

90

ほら

NS

tr

昇る時間

rg=4.7Ω,V遺伝子組み換えほら= 違うほら±15ほらv,ほらtj について=25°C

ほら

55

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

460

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

v についてcc=600V,Ic について=300A

rg=4.7Ω,V遺伝子組み換えほら= 違うほら±15ほらv,ほらtj について=25°C

ほら

55

ほら

NS

e についてについて

オン 切り替え

損失

ほら

28

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

25

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=300Arg=4.7Ω,V遺伝子組み換えほら= 違う±15ほらv,ほらtj について= 違うほら125°C

ほら

110

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

60

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

500

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

60

ほら

NS

e についてについて

オン 切り替え

損失

ほら

31

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

27

ほら

ロープ

c についてほら

入力容量

ほら

v についてザほら電気回路が1MHzで

v について遺伝子組み換えほら=0V

ほら

21

ほら

ロープ

c についてオーエス

輸出容量

ほら

1.5

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

0.9

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tsc について≤10μs,V遺伝子組み換え=15ほらv, ほらtj について=125 について°Cについてcc=900Vほらv について単数≤1200V

ほら

ほら

1300

ほら

ほら

a について

わかったザ

流れる誘導力

ほら

ほら

ほら

20

ほら

rcc+ロープほら’

モジュールリード抵抗e についてほらターミナルからチップへ

tc について=25°C

ほら

0.18

ほら

ロープオー

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=300A

tj について=25°C

ほら

2.0

2.4

v について

tj について= 違うほら125°C

ほら

2.2

2.5

qr

逆ダイオード

リカバリーチャージ

ほら

ほら

i についてf について=300A

v についてr=600V

di/dt=-2400A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=- やってるほら15v

tj について=25°C

ほら

27

ほら

微分

tj について= 違うほら125°C

ほら

50

ほら

ほら

i についてロープ

ダイオードピーク

逆転回復ほら流動

tj について=25°C

ほら

120

ほら

ほら

a について

tj について= 違うほら125°C

ほら

170

ほら

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

tj について=25°C

ほら

9

ほら

ロープ

tj について= 違うほら125°C

ほら

20

ほら

シンボル

パラメーター

タイプする

オーケー

単位

rθJC さん

接続 (IGBT 部分,pe)模块)

ほら

0.06

総量

rθJC さん

ユニオン・トゥ・ケース (モジュールごとにDIOD部品)について

ほら

0.12

総量

rθcs

ケースからシンク (電導性油脂)回答しました)

0.035

ほら

総量

体重

体重ほらについてほら模組

310

ほら

g