IGBTモジュール 1700V

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1700

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について

@ Tc について=90ほらc について

430

300

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

600

a について

pd

最大電源分散 @ Tほら=175ほらc について

1851

ワ

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

v について

i についてf について

ダイオード 連続前向き賃貸

300

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

600

a について

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

ほらc について

tSTG

保存温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分前

4000

v について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

2.40

2.85

ほら

ほら

v について

i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

2.80

ほら

i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について

ほら

2.90

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について= 違うほら電気回路ザ=V遺伝子組み換えについてj について=25ほらc について

5.4

6.2

7.4

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ

流動

v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V

tj について=25ほらc について

ほら

ほら

1.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

ほら

ほら

2.3

ほら

オー

c についてほら

入力容量

v についてザ電気回路が1Mhzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

20.0

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

0.72

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=- やってるほら15...+15V

ほら

1.8

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=300Aわかったrg=4.7Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

464

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

157

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

421

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

290

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

108

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

55.2

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=300Aわかったrg=4.7Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

483

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

161

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

465

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

538

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

128

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

83.7

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=300Aわかったrg=4.7Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=150 についてほらc について

ほら

492

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

165

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

483

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

747

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

141

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

92.1

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V

tj について= 違うほら150ほらC,Vcc= 違うほら1000V,v について単数≤1700V

ほら

ほら

960

ほら

ほら

a について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.80

2.25

ほら

v について

i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=125 についてほらc について

ほら

1.95

ほら

i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=150 についてほらc について

ほら

1.90

ほら

qr

回収された電荷

v についてr=900V,If について=300A

-di/dt=2800A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vtj について=25ほらc について

ほら

70

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

209

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

40.7

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてr=900V,If について=300A

-di/dt=2800A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vtj について=125 についてほらc について

ほら

108

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

238

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

65.1

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてr=900V,If について=300A

-di/dt=2800A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vtj について=150 についてほらc について

ほら

123

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

253

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

71.6

ほら

ロープ

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかったザ

流れる誘導力

ほら

15

ほら

ほら

rCC+EE

モジュール鉛抵抗端末からチップへ

ほら

0.25

ほら

mΩ

rthJC

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

ケースへの接点 (DIあたり)オーデ)

ほら

ほら

0.081

0.138

総量

ほら

rthCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT）

ケースからヒートシンク (pe)ダイオード)

ケースからヒートシンク (Mあたり)臭い)

ほら

0.032

0.054

0.010

ほら

総量

ロープ

端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6

2.5

3.0

ほら

5.0

5.0

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

300

ほら

g