Moduli diodo, MDx600-08-417F2, MDx600-10-417F2, MDx600-12-417F2, MDx600-14-417F2, MDx600-16-417F2, MDx600-18-417F2
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Caratteristiche
Applicazioni tipiche
VRSM |
VRRM |
Tipo e contorno |
900V |
800V |
MDx600-08-417F2 |
1100V |
1000V |
MDx600-10-417F2 |
1300V |
1200V |
MDx600-12-417F2 |
1500V |
1400V |
MDx600-14-417F2 |
di potenza superiore a 600 V |
1600V |
MDx600-16-417F2 |
1900V |
1800V |
MDx600-18-417F2 |
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova |
Tj( ℃ ) |
valore |
unità |
||
min |
TIPO |
max |
|||||
IF(AV) |
Corrente media diretta |
180° onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato da un lato, TC=100 ℃ |
150 |
|
|
600 |
A |
IF (RMS) |
Corrente diretta RMS |
150 |
|
|
942 |
A |
|
IRRM |
Corrente di picco ripetitiva |
a VRRM |
150 |
|
|
30 |
mA |
IFSM |
Corrente di picco in avanti |
10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM |
150 |
|
|
19.0 |
kA |
Io 2t |
Io 2t per coordinazione fusibile |
|
|
1805 |
A 2s*10 3 |
||
VFO |
Voltaggio di soglia |
|
150 |
|
|
0.75 |
V |
rF |
Resistenza di pendenza in avanti |
|
|
0.35 |
mΩ |
||
VFM |
Tensione di picco in avanti |
IFM=1500A |
25 |
|
|
1.35 |
V |
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
A 180 ° sinusoidale ,Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.065 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistenza termica case a dissipatore |
A 180 ° sinusoidale ,Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.024 |
℃ /W |
VISO |
Tensione di isolamento |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
|
3000 |
|
|
V |
FM |
Coppia di collegamento terminale (M10) |
|
|
|
12.0 |
|
N·m |
Coppia di montaggio (M6) |
|
|
|
6.0 |
|
N·m |
|
t Vj |
temperatura di giunzione |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Peso |
|
|
|
775 |
|
g |
Outline |
417F2 |
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