Modulo IGBT 1700V

(Simbolo)

(Parametro)

(Condizioni di prova)

(valore)

(Unità)

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 20

V

I C

Corrente tra collettore ed emittente

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

A

I C ((PK)

Corrente di picco del collettore

tP = 1 ms

4800

A

P max

Max. dissipazione di potenza del transistor

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

kw

- Non lo so.

Diodo I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Visol

Tensione di isolamento per modulo

(terminali comuni alla piastra base),

AC RMS,1 min, 50Hz

4000

V

Q PD

Scarica parziale per modulo

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

PC

Tcase = 25 °C T case = 25°C a meno che non specificato diversamente

(Simbolo)

(Parametro)

(Condizioni di prova)

(Min)

(tipico)

(Max)

(Unità)

I CES

Corrente di taglio del collettore

V GE = 0V, VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C

40

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C

60

mA

I GES

Corrente di perdita di portata

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V GE (TH)

Tensione di soglia di ingresso

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE (sat)

Saturazione del collettore-emittente

Tensione

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

V

I F

Corrente di diodo in avanti

CC

2400

A

I FRM

Corrente di diodo massima in avanti

t P = 1ms

4800

A

VF(*1)

Tensione di diodo in avanti

IF = 2400A

1.65

V

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

V

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

V

- Cies

Capacità di ingresso

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

NF

CdG

Importo della porta

±15V

19

μC

Cres

Capacità di trasferimento inverso

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

NF

L M

Induttanza del modulo

10

nH

R INT

Resistenza interna del transistor

110

μΩ

I SC

Corrente di cortocircuito, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

A

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

NS

t f

Tempo di caduta

500

NS

E OFF

Perdite di energia di spegnimento

1050

mJ

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

450

NS

tr

Tempo di risalita

210

NS

EON

Perdita di energia all'accensione

410

mJ

Qrr

Carica di recupero inverso del diodo

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

μC

I rr

Corrente di recupero inverso del diodo

1000

A

Erec

Energia di recupero inverso del diodo

320

mJ

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

NS

t f

Tempo di caduta

510

NS

E OFF

Perdite di energia di spegnimento

1320

mJ

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

450

NS

tr

Tempo di risalita

220

NS

EON

Perdita di energia all'accensione

660

mJ

Qrr

Carica di recupero inverso del diodo

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

μC

I rr

Corrente di recupero inverso del diodo

1200

A

Erec

Energia di recupero inverso del diodo

550

mJ

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

NS

t f

Tempo di caduta

510

NS

E OFF

Perdite di energia di spegnimento

1400

mJ

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

450

NS

tr

Tempo di risalita

220

NS

EON

Perdita di energia all'accensione

820

mJ

Qrr

Carica di recupero inverso del diodo

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

μC

I rr

Corrente di recupero inverso del diodo

1250

A

Erec

Energia di recupero inverso del diodo

620

mJ