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Modulo IGBT 3300V

Modulo IGBT 3300V

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YMIF1200-33,Modulo IGBT,Interruttore Singolo IGBT,CRRC

3300V 1200A

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF1200-33
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione:

Moduli IGBT ad alta tensione, interruttore singolo prodotti da CRRC. 3300V 1200A.

Caratteristiche

  • SPT+chip-set per perdite di commutazione ultra basse
  • Basso VCE saturatore
  • Basso potere di guida
  • Piastra di base in AlSiC per capacità di ciclo ad alta potenza
  • AlN per bassa resistenza termica

TipicoApplicazione

  • Fiumi di trazione
  • Chopper DC
  • Invertitori/convertitori a media tensione
  • Sistema UPS a media tensione
  • Sistema eolico

Valori massimi nominali

Parametro

Il simbolo

Condizioni

mIN

mascia

unità

Tensione tra collettore ed emittente

VCES

VGE=0V,Tvj≥25°C

3300

V

CC Corrente del collettore

Ic

TC =80 °C

1200

A

Corrente di picco del collettore

MIC

tp = 1 ms,Tc = 80°C

2400

A

Tensione dell'emittente di porta

VGE

-20

20

V

Dissipazione totale di potenza

Ptot

TC = 25°C, per interruttore ((IGBT)

10500

W

Corrente continua in avanti

IF

1200

A

Corrente di picco in avanti

IFRM

tp = 1 ms

2400

A

Corrente di sovratensione

IFSM

VR = 0 V, Tvj = 125 °C,

tp = 10 ms, mezza onda sinusoidale

9000

A

SOA di cortocircuito IGBT

tpsc

VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C

10

μs

Tensione di isolamento

Visol

1 min, f = 50 Hz

10200

V

temperatura di giunzione

Tvj

150

°C

Temperatura di giunzione operativa

Tvj ((op)

-50

125

°C

Temperatura della cassa

TC

-50

125

°C

Temperatura di conservazione

TSTG

-50

125

°C

Coppie di montaggio

M s

Fuoco di base, viti M6

4

6

Nm

Mt1

Termini principali, viti M8,

8

10

Mt2

Termini ausiliari, viti M6

2

3

Caratteristica IGBT

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

tipizzazione

max

unità

Tensione di rottura del collettore (-emettitore)

V ((BR) CES

VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C

3300

V

Tensione di saturazione collettore-emettitore

VCE sat

C = 1200 A, VGE= 15 V

Tvj=25°C

3.1

3.4

V

Tvj=125°C

3.8

4.3

V

Corrente di taglio del collettore

ICES

VCE = 3300 V, VGE = 0 V

Tvj=25°C

12

mA

Tvj=125°C

120

mA

Corrente di perdita di portata

IGES

VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C

-500

500

NA

Tensione di soglia del portale-emittente

VGE (th)

IC = 240mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C

5.5

7.5

V

Importo della porta

CdG

IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V

12.1

μC

Capacità di ingresso

- Cies

VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C

187

NF

Capacità di uscita

Coes

11.57

NF

Capacità di trasferimento inverso

Cres

2.22

NF

Tempo di ritardo di accensione

Td (in)

VCC = 1800 V, IC = 1200A,

RG = 3.9Ω ,VGE =±15V

L σ = 280nH, carico induttivo

Tvj=25°C

750

NS

Tvj=125°C

750

NS

Tempo di risalita

tr

Tvj=25°C

400

NS

Tvj=125°C

470

NS

Tempo di ritardo di spegnimento

Td (off)

Tvj=25°C

1600

NS

Tvj=125°C

1800

NS

Tempo di caduta

TF

Tvj=25°C

1100

NS

Tvj=125°C

1200

NS

Perdita di commutazione all'accensione

EON

Tvj=25°C

1400

mJ

Tvj=125°C

1800

mJ

Energia di perdita di commutazione allo spegnimento

EOFF

Tvj=25°C

1300

mJ

Tvj=125°C

1700

mJ

Corrente di cortocircuito

Isc

VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, carico induttivo

5000

A

Caratteristica del diodo

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

tipizzazione

max

unità

Voltaggio di avanzamento

VF

IF = 1200 A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

V

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

V

Corrente di recupero inversa

- Non lo so.

VCC= 1800 V, IC= 1200 A,

RG=2,3Ω,VGE=±15V, L σ = 280nH, carico induttivo

Tvj = 25 °C

900

A

Tvj = 125 °C

1000

A

Importo recuperato

Qrr

Tvj = 25 °C

700

μC

Tvj = 125 °C

1000

μC

Tempo di recupero inverso

trr

Tvj = 25 °C

850

NS

Tvj = 125 °C

2200

NS

Energia di recupero inverso

Erec

Tvj = 25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300

mJ

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