Modulo IGBT 1700V

YMIBD800-17,Modulo IGBT,Interruttore doppio IGBT,CRRC

YMIBD800-17,Modulo IGBT,Interruttore doppio IGBT,CRRC

1700V 800A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIBD800-17 / TIM800DDM17-PSA011

Introduzione
Outline

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT moduli IGBT a interruttore singolo prodotti da CRRC. 1700V 1200A.

Chiave Parametri

V CES	1700		V
V CE (seduto )	(tipico)	2.30	V
Io C	(Max)	800	A
Io C ((RM)	(Max)	1600	A

Tipico Applicazioni

Motori di trazione
Controller motori
Vento Potenza
Alto Affidabilità Inverter

Caratteristiche

AlSiC Base
AIN Substrati
Alto Termica Cicli Capacità
10 μm s Corto Circuito Resistete.
Basso V cE (seduto ) dispositivo
Alto corrente densità

Assoluto Massimo Valutazione

(Simbolo)	(Parametro)	(Condizioni di prova)	(valore)	(Unità)
VCES	Tensione tra collettore ed emittente	V GE = 0V, TC= 25 。C	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	TC= 25 。C	± 20	V
I C	Corrente tra collettore ed emittente	TC = 80 。C	800	A
I C ((PK)	Corrente di picco del collettore	t P=1ms	1600	A
P max	Dissipazione di potenza massima del transistor	Tvj = 150 。C, TC = 25 。C	6.94	kw
- Non lo so.	Diodo I 2t	VR = 0V, t P = 10 ms, Tvj = 125 。C	120	kA2s
Visol	Tensione di isolamento per modulo	(terminali comuni alla piastra base), RMS AC, 1 min, 50Hz, TC= 25 。C	4000	V
Q PD	Scarica parziale per modulo	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C	10	pC

Caratteristiche Elettriche

(Il simbolo )	(Parametro )	(Condizioni di prova)	(Min )	(Tipizzazione )	(Max )	(Unità )
I CES	Corrente di taglio del collettore	V GE = 0V,VCE = VCES			1	mA
I CES	Corrente di taglio del collettore	V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C			25	mA
I GES	Corrente di perdita di portata	V GE = ±20V, VCE = 0V			4	μA
V GE (TH)	Tensione di soglia di ingresso	I C = 40mA, V GE = VCE	5.00	5.70	6.50	V
VCE (sat)	Tensione di saturazione del collettore-emettitore	V GE =15V, I C = 800A		2.30	2.60	V
VCE (sat)	Tensione di saturazione del collettore-emettitore	V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C		2.80	3.10	V
I F	Corrente di diodo in avanti	dC CC			800	A
I FRM	Corrente di diodo massima in avanti	t P = 1ms			1600	A
VF(*1)	Tensione di diodo in avanti	I F = 800A		1.70	2.00	V
VF(*1)	Tensione di diodo in avanti	I F = 800A, Tvj = 125 ° C		1.80	2.10	V
C ies	Capacità di ingresso	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		60		nF
Q g	Importo della porta	±15V		9		μC
C res	Capacità di trasferimento inverso	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		-		nF
L M	Induttanza del modulo			20		nH
R INT	Resistenza interna del transistor			270		μΩ
I SC	Corrente di cortocircuito, ISC	Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3700		A
td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		890		nS
t f	Tempo di caduta			220		nS
E OFF	Perdite di energia di spegnimento			220		mJ
td (in)	Tempo di ritardo di accensione			320		nS
t r	Tempo di risalita			190		nS
EON	Perdita di energia all'accensione			160		mJ
Q rr	Carica di recupero inverso del diodo	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		260		μC
I rr	Corrente di recupero inverso del diodo			510		A
E rec	Energia di recupero inverso del diodo			180		mJ
td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		980		nS
t f	Tempo di caduta			280		nS
E OFF	Perdite di energia di spegnimento			290		mJ
td (in)	Tempo di ritardo di accensione			400		nS
t r	Tempo di risalita			250		nS
EON	Perdita di energia all'accensione			230		mJ
Q rr	Carica di recupero inverso del diodo	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		420		μC
I rr	Corrente di recupero inverso del diodo			580		A
E rec	Energia di recupero inverso del diodo			280		mJ