Diodo a recupero rapido

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(℃)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180°onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=85℃

150

4000

a)

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

2100

3000

v

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a V_RRM

150

300

- Mamma!

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale semionda VR=0.6V_RRM

150

44

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

9680

a)²s*10³

VFO

Voltaggio di soglia

150

0.96

v

rf

Resistenza di pendenza in avanti

0.12

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

IFM=5000A, F=35kN

25

2.20

v

IRM

Corrente di recupero inversa

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

150

350

a)

trr

Tempo di recupero inverso

12

μs

Qrr

tassa di recupero

4300

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato su entrambi i lati Forza di bloccaggio 40kN

0.007

℃/W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.002

Fm

Forza di montaggio

63

84

kn

Tvj

temperatura di giunzione

-40

150

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

°C

wt

peso

1390

g

scheda

ZT84cT