Y89KFE, Tiristore a spegnimento rapido non simmetrico

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj(℃ )

valore

unità

min

TIPO

max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=55°C

125

4240

A

VDRM

Tensione di picco ripetitiva in stato di off

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1000

1800

V

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

250

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

46

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

10580

A2s*103

VTO

Voltaggio di soglia

125

1.14

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.10

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=5000A, F=70kN

15 μs≤tq≤35 μs

25

2.50

V

36 μs≤tq≤60 μs

1.80

V

61 μs≤tq≤80 μs

1.60

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente nello stato di accensione (Non ripetitivo)

VDM= 67%VDRM ,a4000A

Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

tassa di recupero

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

2100

μC

Tq

Tempo di spegnimento commutato da circuito

ITM=2000A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

25

80

μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA=12V, IA=1A

25

40

450

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.9

4.5

V

IH

Corrente di mantenimento

20

1000

mA

IL

Corrente di aggancio

1000

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 1800 seno, doppio lato raffreddato Forza di fissaggio 70 kN

0.007

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.002

FM

Forza di montaggio

63

84

kN

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

140

℃

Wt

Peso

1390

g

Outline

KT84cT