Y76ZKG, Diodo a Recupero Veloce

Io _T(AV)

2175A

V _RRM

4000V 4200V

4500V 5000V

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

valore

unità

min

TIPO

max

IF(AV)

Corrente media diretta

180° onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=85 ℃

150

2175

A

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

4000

5000

V

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a V _RRM

150

240

mA

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale semionda VR=0.6V _RRM

150

30

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

4500

A ²s* 10 ³

VFO

Voltaggio di soglia

150

1.65

V

rF

Resistenza di pendenza in avanti

0.25

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

Io _TM =3000A, F=40kN

25

3.00

V

IRM

Corrente di recupero inversa

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

150

320

A

trr

Tempo di recupero inverso

12

μs

Qrr

tassa di recupero

1900

2200

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180 ° seno, raffreddato su entrambi i lati Forza di serraggio 40kN

0.010

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.003

FM

Forza di montaggio

35

47

kN

Tvj

temperatura di giunzione

-40

150

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

℃

Wt

Peso

1100

g

Outline

ZT73cT