Diodo a recupero rapido

I_T(AV)

2570a)

v_RRM

2200V- Non lo so.2500V

2800V   3000V

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(℃)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180°onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=85℃

150

2570

a)

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

2100

3000

v

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

150

200

- Mamma!

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

150

23

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

2645

A2s*103

VFO

Voltaggio di soglia

150

1.20

v

rf

Resistenza di pendenza in avanti

0.21

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

IFM=3000A, F=35kN

150

1.90

v

IRM

Corrente di recupero inversa

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

150

300

a)

trr

Tempo di recupero inverso

5

μs

Qrr

tassa di recupero

750

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato su entrambi i lati Forza di serraggio 40kN

0.010

℃/W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.003

Fm

Forza di montaggio

35

47

kn

Tvj

temperatura di giunzione

-40

150

。c

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

°C

wt

peso

1100

g

scheda

ZT73cT