Diodo a recupero rapido

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(°C)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180。onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=85°C

150

1876

a)

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

2100

3000

v

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

150

195

- Mamma!

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

150

25

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

3125

a)²s*10³

VFO

Voltaggio di soglia

150

1.55

v

rf

Resistenza di pendenza in avanti

0.29

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

ITM=3000A, F=35kN

25

3.20

v

IRM

Corrente di recupero inversa

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

150

260

a)

trr

Tempo di recupero inverso

10

μs

Qrr

tassa di recupero

1300

1500

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180°seno, forza di serraggio raffreddata su entrambi i lati 35kN

0.012

°C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.003

Fm

Forza di montaggio

30

40

kn

Tvj

temperatura di giunzione

-40

150

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

°C

wt

peso

880

g

scheda

ZT60cT