Y70KFG,Thyristor a spegnimento rapido non simmetrico

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

valore

unità

min

TIPO

max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati

TC=55 。C

125

2900

A

VDRM

Tensione di picco ripetitiva in stato di off

tp=10ms

125

2000

3000

V

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1000

2500

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

200

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

30

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

4500

103A2s

VTO

Voltaggio di soglia

125

1.27

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.15

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=5000A, F=40kN

20μs≤tq≤45µs

25

2.80

V

46μs≤tq≤60µs

2.60

V

61μs≤tq≤75µs

2.40

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente nello stato di accensione (Non ripetitivo)

VDM= 67%VDRM,

Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

tassa di recupero

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

1300

μC

Tq

Tempo di spegnimento commutato da circuito

ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

25

75

μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA=12V, IA=1A

25

40

250

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.9

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

20

1000

mA

IL

Corrente di aggancio

1500

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180° seno, raffreddato su entrambi i lati Forza di bloccaggio 40kN

0.010

。C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

0.003

FM

Forza di montaggio

35

47

kN

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

140

℃

Wt

Peso

1100

g

Outline

KT73cT/ KT73dT