Diodo a recupero rapido

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(°C)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180°onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=85。c

150

1508

a)

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

2100

3000

v

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

150

145

- Mamma!

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

150

20

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

2000

A2s*103

VFO

Voltaggio di soglia

150

1.58

v

rf

Resistenza di pendenza in avanti

0.30

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

ITM=2000A, F=28kN

25

2.80

v

IRM

Corrente di recupero inversa

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

150

200

a)

trr

Tempo di recupero inverso

8

μs

Qrr

tassa di recupero

800

1010

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180°seno, raffreddato su entrambi i lati Forza di serraggio 28kN

0.016

°C/W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.004

Fm

Forza di montaggio

21

30

kn

Tvj

temperatura di giunzione

-40

150

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

°C

wt

peso

640

g

scheda

ZT54cT