Y55KAD,Thyristor ad Alta Frequenza

Io T(AV)

1520A

V DRM V RRM

1200V 1400V

Tq

12 - 28 μs

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( 。C)

valore

unità

min

TIPO

max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180。onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=55 。C

125

1520

A

VDRM VRRM

Tensione di picco ripetitiva in stato di off Tensione di picco inversa ripetitiva

tp=10ms

125

1100

1400

V

Idrm Irrm

Corrente di off-state di picco ripetitiva Corrente di picco inversa ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

100

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

18

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

1620

A2s*103

VTO

Voltaggio di soglia

125

1.63

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.25

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=3000A, F=26kN

25

3.20

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

VDM= 67%VDRM a 2500A

Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

tassa di recupero

ITM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

105

120

μC

Tq

Tempo di spegnimento commutato da circuito

ITM= 1000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

12

28

μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA= 12V, IA= 1A

25

30

300

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

20

400

mA

IL

Corrente di aggancio

1000

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 1800 seno, doppio lato raffreddato Forza di fissaggio 26kN

0.018

。C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.004

FM

Forza di montaggio

21

30

kN

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

。C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

140

。C

Wt

Peso

590

g

Outline

KT54cT