Diodo a recupero rapido

I_T(AV)

1500a

v_RRM

1800V- Non lo so.2000V

2200V 2500V

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(°C)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180°onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

Zinc=55°C

125

1500

a)

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

125

85

- Mamma!

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

19.6

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

1920.8

A2s*103

VFO

Voltaggio di soglia

125

1.16

v

rf

Resistenza di pendenza in avanti

0.29

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

@IFM=1500A,

F=24kN

25

1.76

v

@IFM=3000A,

125

2.03

VFRM

Tensione di recupero massima in avanti

di/dt=1000A/μs

125

45

v

25

28

v

IRM

Corrente di recupero inversa

IFM=1000A,tp=4000μs, -di/dt=60A/μs, VR=50V

125

144

a)

trr

Tempo di recupero inverso

4.5

μs

Qrr

tassa di recupero

650

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180。sinusoidale, raffreddato a doppio lato Forza di serraggio 24kN

0.021

°C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.005

Fm

Forza di montaggio

19

26

kn

- Non lo so.

intervallo di temperatura di funzionamento

-40

125

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

150

°C

wt

peso

440

g

scheda

ZT50cT