Diodo a recupero rapido

I_T(AV)

1800a

v_RRM

800V- Non lo so.1000V

1200V  1400V

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(°C)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180。onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

Zinc=55°C

125

1800

a)

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

125

100

- Mamma!

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

25

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

3125

a)²s*10³

VFO

Voltaggio di soglia

125

1.150

v

rf

Resistenza di pendenza in avanti

0.138

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

@ IFM=3000A

F=24kN

25

1.70

v

@ IFM=4500A

125

1.77

VFRM

Tensione di recupero massima in avanti

di/dt=1000A/μs

125

14

v

25

10

v

IRM

Corrente di recupero inversa

IFM=1000A, tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

50

a)

trr

Tempo di recupero inverso

3.0

μs

Qrr

tassa di recupero

150

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180°sinusoidale, raffreddato a doppio lato Forza di serraggio 24kN

0.021

°C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.005

Fm

Forza di montaggio

19

26

kn

- Non lo so.

intervallo di temperatura di funzionamento

-40

125

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

150

°C

wt

peso

440

g

scheda

ZT50cT