Y50ZYB, Diodo a Recupero Morbido

Io _T(AV)

1800A

V _RRM

800V 1000V

1200V 1400V

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

valore

unità

min

TIPO

max

IF(AV)

Corrente media diretta

180。onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

Zinc=55 ℃

125

1800

A

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

125

100

mA

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

25

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

3125

A ²s*10 ³

VFO

Voltaggio di soglia

125

1.150

V

rF

Resistenza di pendenza in avanti

0.138

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

@ IFM=3000A

F=24kN

25

1.70

V

@ IFM=4500A

125

1.77

VFRM

Tensione di recupero massima in avanti

di/dt=1000A/μs

125

14

V

25

10

V

IRM

Corrente di recupero inversa

IFM=1000A, tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

50

A

trr

Tempo di recupero inverso

3.0

μs

Qrr

tassa di recupero

150

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180 ° sinusoidale, raffreddato a doppio lato Forza di serraggio 24kN

0.021

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.005

FM

Forza di montaggio

19

26

kN

- Non lo so.

Intervallo di temperatura di funzionamento

-40

125

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

150

℃

Wt

Peso

440

g

Outline

ZT50cT