Tiristore di Controllo Bi-Direzionale

IT(AV)

930

VDRM, VRRM

500V   800V

1000V- Non lo so.1200 V

1400V  1600V

1800

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(°C)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IT(RMS)

Corrente RMS

Onda sinusoidale a 50Hz

Raffreddato su entrambi i lati,

TC=55°C

125

1330

a)

TC=85°C

125

930

VDRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

VDRM      tp=10ms

VDSM  = VDRM  +100V

125

500

1800

v

IDRM

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM

125

50

- Mamma!

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

8.8

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

387

A2s*103

VTO

Voltaggio di soglia

125

0.78

v

rt

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.89

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=1200A, F=18kN

25

2.70

v

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=0.67VDRM

125

50

V/µs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

VDM= 67%VDRM a 1000A,

Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM=1.5A Ripetitivo

125

50

A/µs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA=12V, IA=1A

25

20

350

- Mamma!

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

3.5

v

IH

Corrente di mantenimento

20

400

- Mamma!

Il

Corrente di aggancio

500

- Mamma!

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato su entrambi i lati     Forza di serraggio 18kN

0.028

。C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.0075

Fm

Forza di montaggio

15

20

kn

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

。c

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

140

。c

wt

peso

320

g

scheda

KT39cT40