Diodo a recupero rapido

I_T(AV)

538a)

v_RRM

4000V- Non lo so.4200V

4500V 5000V

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(°C)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180°onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=85°C

538

a)

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

4000

5000

v

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

150

50

- Mamma!

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

150

7.5

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

281

A2s*103

VFO

Voltaggio di soglia

150

1.89

v

rf

Resistenza di pendenza in avanti

1.18

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

ITM=1000A, F=15kN

25

3.80

v

IRM

Corrente di recupero inversa

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

150

240

a)

trr

Tempo di recupero inverso

10

μs

Qrr

tassa di recupero

720

900

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180°seno, raffreddato su entrambi i lati Forza di serraggio 15kN

0.035

°C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.008

Fm

Forza di montaggio

10

20

kn

Tvj

temperatura di giunzione

-40

150

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

°C

wt

peso

250

g

scheda

ZT33cT