Moduli diodo a recupero rapido

VRRM

Tipo e contorno

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx75-06-216F3

MZx75-08-216F3

MZx75-10-216F3

MZx75-12-216F3

MZx75-14-216F3

MZx75-16-216F3

MZx75-18-216F3

MZ75-18-216F3G

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

valore

unità

min

Tipo

max

IF(AV)

Corrente media diretta

180° mezza onda sinusoidale 50Hz

Raffreddato da un solo lato, TC=85 ℃

140

75

A

IF(RMS)

Corrente diretta RMS

118

A

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

140

20

mA

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

140

2.0

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

20

10³A ²s

VFO

Voltaggio di soglia

140

1.10

V

rF

Resistenza di pendenza in avanti

3.00

m

VFM

Tensione di picco in avanti

IFM=225A

25

2.00

V

trr

Tempo di recupero inverso

IFM=200A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V

140

3.0

μs

25

2.0

μs

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.310

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.080

℃ /W

FM

Coppia di collegamento terminale (M6)

4.5

6.0

N·m

Coppia di montaggio (M6)

4.5

6.0

N·m

VISO

Tensione di isolamento

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Tvj

temperatura di giunzione

-40

140

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

℃

Wt

Peso

320

g

Outline

216F3