600V~1800V,415F3
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Breve introduzione
Moduli diodo a recupero rapido , MZ x30 0,Raffreddamento ad aria ,Prodotto da TECHSEM.
VRRM | Tipo e contorno |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V | MZx300-06-415F3 MZx300-08-415F3 MZx300-10-415F3 MZx300-12-415F3 MZx300-14-415F3 MZx300-16-415F3 MZx300-18-415F3 MZ300-18-415F3G |
MZx sta per qualsiasi tipo di MZC, MZA, MZK
Caratteristiche ：
Applicazioni tipiche ：
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova | Tj( ℃ ) | valore |
unità | ||
min | Tipo | max | |||||
IF(AV) | Corrente media diretta | 180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato da un solo lato, TC=85 ℃ |
140 |
|
| 300 | A |
IF (RMS) | Corrente diretta RMS |
|
| 471 | A | ||
IRRM | Corrente di picco ripetitiva | a VRRM | 140 |
|
| 70 | mA |
IFSM | Corrente di picco in avanti | 10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM |
140 |
|
| 8.30 | kA |
I2t | I2t per coordinazione fusibile |
|
| 344 | 103A 2s | ||
VFO | Voltaggio di soglia |
|
140 |
|
| 0.95 | V |
rF | Resistenza di pendenza in avanti |
|
| 0.48 | m | ||
VFM | Tensione di picco in avanti | IFM=900A | 25 |
|
| 1.55 | V |
trr | Tempo di recupero inverso | IFM=300A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V | 140 |
| 4 |
| μs |
25 |
| 3 |
| μs | |||
Rth(j-c) | Resistenza termica Giunzione a custodia | Raffreddato da un lato per chip |
|
|
| 0.120 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Resistenza termica case a dissipatore | Raffreddato da un lato per chip |
|
|
| 0.040 | ℃ /W |
VISO | Tensione di isolamento | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| V |
FM | Coppia di collegamento terminale (M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·m |
Coppia di montaggio (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | |
Tvj | temperatura di giunzione |
|
| -40 |
| 140 | ℃ |
TSTG | Temperatura di immagazzinamento |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Peso |
|
|
| 1260 |
| g |
Outline | 415F3 | ||||||
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