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Breve introduzione
Super Fast Recovery Diode mo dule, MUR20040 , prodotto da TECHSEM .
VRRM |
Tipo e contorno |
200V |
MUR20040-235H3 |
Caratteristiche :
Tipico Applicatqions :
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova |
Tj( ℃ ) |
valore |
unità |
||
min |
TIPO |
max |
|||||
IF(AV) |
Massima corrente media in avanti |
Raffreddato da un lato, TC=100 。C Per Modulo. |
150 |
|
|
200 |
A |
VRRM |
Ripetitiva tensione di picco |
tp=10ms |
25 |
|
|
400 |
V |
IRRM |
Corrente di picco ripetitiva |
VRM=400V |
150 |
|
|
500 |
μA |
25 |
|
|
10 |
μA |
|||
IFSM |
Corrente di picco in avanti |
Per Diode , onda sinusoidale semiciclica di 8,3ms |
25 |
|
|
1.1 |
kA |
VFM |
Tensione di picco in avanti |
Per Diode @IFM=100A |
125 |
|
1.1 |
1.2 |
V |
25 |
|
1.2 |
1.4 |
V |
|||
trr |
Tempo di recupero inverso |
IF=0,5A, IRM=1A, IRR=0,25A |
125 |
|
60 |
65 |
NS |
25 |
|
80 |
100 |
NS |
|||
CJ |
Capacitanza del giunzione |
VR=200V |
|
|
35 |
|
PF |
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
Per Diode , raffreddamento a singolo lato |
|
|
|
0.40 |
℃ /W |
Tvj |
temperatura di giunzione |
|
|
-55 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-55 |
|
125 |
℃ |
FM |
Coppia di collegamento terminale (M6) |
|
|
|
5.0 |
|
N·m |
Coppia di montaggio (M6) |
|
|
|
5.0 |
|
N·m |
|
Wt |
Peso |
|
|
|
105 |
|
g |
Outline |
235H3 |
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