MTx820,MFx820,Moduli a Tirostori/Diodi,Raffreddamento ad aria

Introduzione

Breve introduzione

Tiristore/ Modulo di diodo , MTx 820 MFx 820 MT 800，820A ,raffreddamento ad aria ，Prodotto da TECHSEM.

VRRM ,VDRM	TIPO & Esemplare
600V	MTC820-06-416F3	MFC820-06-416F3
800V	MTC820-08-416F3	MFC820-08-416F3
1000V	MTC820-10-415F3	MFC820-10-416F3
1200V	MTC820-12-416F3	MFC820-12-416F3
1400V	MTC820-14-416F3	MFC820-14-416F3
1600V	MTC820-16-416F3	MFC820-16-416F3
1800V	MTC820-18-416F3	MFC820-18-416F3
1800V	MT820-18-416F3G

Caratteristiche

Base di montaggio isolata 3000V~
Tecnologia di contatto a pressione con
Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

Motori a corrente alternata
Vari rettificatori
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj(℃)	valore			unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj(℃)	min	TIPO	max	unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180° onda sinusoidale a mezza onda 50Hz raffreddamento a un solo lato, Tc=85℃	135			820	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS	180。mezza onda sinusoidale 50Hz	135			1287	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	135			120	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	10 ms di mezza onda sinusoidale, VR=0V	135			20.1	kA
Io ²t	I2t per coordinazione fusibile	10 ms di mezza onda sinusoidale, VR=0V	135			2020	A ²s* 10 ³
VTO	Voltaggio di soglia		135			0.81	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione		135			0.24	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM= 1500A	25			1.38	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	135			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	135			200	A/μs
tgd	Tempo di ritardo controllato da un cancello	IG= 1A dig/dt= 1A/μs	25			4	μs
Tq	Tempo di spegnimento commutato da circuito	ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs	135		250		μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A	25	30		250	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	V
IH	Corrente di mantenimento			10		300	mA
IL	Corrente di aggancio	IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us	25			1500	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	135			0.25	V
IGD	Corrente di porta non innescata	VDM=67%VDRM	135			5	mA
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip				0.047	℃/W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip				0.015	℃/W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
FM	Coppia di collegamento terminale (M10)			10.0		12.0	N·m
FM	Coppia di montaggio (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	temperatura di giunzione			-40		135	℃
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	℃
Wt	Peso				1410		g
Outline	416F3